氮化镓基发光二极管N型层欧姆接触电极的制作方法

摘要

一种氮化镓基发光二极管N型层欧姆接触电极的制作方法，包括如下步骤：1)在蓝宝石衬底上的氮化镓基发光二极管的外延结构上用干法刻蚀或湿法腐蚀的方法在设计的管芯的N电极区域刻蚀出直径或边长小于50μm的圆型或方形或任意形状的刻蚀孔，直到N型接触层；2)在P型氮化镓层上制备一层P型透明电极；3)在样品上蒸镀二氧化硅或氮化硅等绝缘膜；4)用光刻和腐蚀的方法将刻蚀或腐蚀出的N型层上的绝缘膜腐蚀掉，露出N型层，保留刻蚀孔侧墙面及台面上直径或边长约为100μm大小的绝缘膜；5)最后用光刻和蒸发或溅射的方法制备N电极，形成氮化镓基发光二极管的N型层欧姆接触接触电极。

主权项

1、一种氮化镓基发光二极管N型层欧姆接触电极的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在蓝宝石衬底上的氮化镓基发光二极管的外延结构上用干法刻蚀或湿法腐蚀的方法在设计的管芯的N电极区域刻蚀出直径或边长小于50μm的圆型或方形或任意形状的刻蚀孔，直到N型接触层，该刻蚀或腐蚀出的刻蚀孔的侧墙面要求为正台面，该刻蚀孔的形状为圆形、方形或其他任意形状，圆形的直径或方形的边长应小于50μm，该刻蚀孔的位置只要位于N型电极的面积内即可，最佳位置位于N型电极的中心；2)在P型氮化镓层上制备一层P型透明电极；3)在样品上蒸镀二氧化硅或氮化硅绝缘膜，该薄膜的厚度为0.01-0.3μm，并有良好的绝缘性能；4)用光刻和腐蚀的方法将刻蚀或腐蚀出的N型层上的绝缘膜腐蚀掉，露出N型层，保留刻蚀孔侧墙面及台面上直径或边长为100μm大小的绝缘膜；5)最后用光刻和蒸发或溅射的方法制备N电极，形成氮化镓基发光二极管的N型层欧姆接触接触电极。