发明名称 一种高压晶体管仿真模型
摘要 本发明公开了一种高压晶体管仿真模型,包括一个普通SPICE晶体管仿真模型,在晶体管的源极和漏极上各串连一个可变电阻。利用电阻的分压作用,很好地仿真高压晶体管器件在高压下的性能,提高集成电路设计工作的效率与准确性,缩小产品设计周期及降低成本。
申请公布号 CN1912876A 申请公布日期 2007.02.14
申请号 CN200510028648.0 申请日期 2005.08.10
申请人 上海华虹NEC电子有限公司 发明人 邹小卫;刘忠来
分类号 G06F17/50(2006.01) 主分类号 G06F17/50(2006.01)
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 代理人 丁纪铁
主权项 1.一种高压晶体管仿真模型,包括一个普通SPICE晶体管仿真模型,其特征在于,在晶体管的漏极与源极上各串连一个可变电阻。
地址 201206上海市川桥路1188号718