垂直纳米管半导体器件结构及其形成方法

摘要

本发明涉及包括至少一个纳米管的垂直器件结构以及用于通过化学气相沉积制造这样的器件结构的方法。每个纳米管通过利用催化剂垫催化的化学气相沉积生长并被包在电介质材料的涂层内。垂直场效应晶体管可以通过在被包住的纳米管周围形成栅极电极使得被包住的纳米管穿过所述栅极电极的厚度垂直延伸而形成。可以形成电容器，其中被包住的纳米管和支承所述被包住的纳米管的相应催化剂垫形成一个电容器板。

主权项

1.一种垂直半导体器件结构，包括：衬底，其定义基本水平的平面；栅极电极，其从所述衬底垂直突出；至少一个半导体纳米管，其在相对的第一和第二端之间穿过所述栅极电极垂直延伸；栅极电介质，其使所述至少一个半导体纳米管与所述栅极电极电绝缘；源极，其与所述至少一个半导体纳米管的所述第一端电耦接；以及漏极，其与所述至少一个半导体纳米管的所述第二端电耦接。