| 发明名称 | 消除半导体硅晶片表面应力的方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体加工工艺，尤其涉及一种消除半导体硅晶片表面应力的方法，其特征是：在初加工后的硅片表面划出损伤应力环。本发明的有益效果：通过制作损伤应力环，可有效地减少并除去硅晶片表面应力，避免晶片出现滑移线、位错排和造成集成电路p－n结导通或导致漏电流增大。其方法简便，易操作，不需要改变现有设备。 | ||
| 申请公布号 | CN1912196A | 申请公布日期 | 2007.02.14 |
| 申请号 | CN200610014061.9 | 申请日期 | 2006.06.06 |
| 申请人 | 河北工业大学 | 发明人 | 刘玉岭;周建伟;张伟 |
| 分类号 | C30B33/00(2006.01) | 主分类号 | C30B33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 天津市三利专利商标代理有限公司 | 代理人 | 闫俊芬 |
| 主权项 | 1、一种消除半导体硅晶片表面应力的方法，其特征是：在初加工后的硅片表面划出损伤应力环。 | ||
| 地址 | 300130天津市红桥区光荣道8号 | ||