应力被调节的单层氮化硅膜及其沉积方法

摘要

我们已经发现，可以通过操作某些膜沉积参数来调节单层氮化硅膜的应力。这些参数包括：工作在不同频率范围内的多个(一般是两个)功率输入源；沉积温度；处理室压强；和沉积源气体的组分。具体而言，我们已经发现，可以通过PECVD在单个沉积步骤中沉积膜来产生应力被调节在约－1.4GPa(压应力)到约+1.5GPa(张应力)范围内的单层薄(厚度为300埃到1000埃)氮化硅膜，沉积条件如下：衬底温度在约375℃到约525℃的范围内，处理室压强范围从约2Torr到约15Torr。

主权项

1.一种在衬底上进行沉积期间调节单层氮化硅膜的应力的方法，包括：将衬底置于等离子体增强化学气相沉积室中，其中所述等离子体增强化学气相沉积室能够处理直径约为200mm的衬底，并且所述等离子体增强化学气相沉积室具有工作在从约13MHz到约14MHz频率范围内的高频RF功率输入源和工作在从约300kHz到约400kHz频率范围内的低频RF功率输入源；将所述高频RF功率输入源设置为从约10W到约200W范围内的标称值；将所述低频RF功率输入源设置为从约0W到约100W范围内的标称值；将所述等离子体增强化学气相沉积处理室压强设置为从约2Torr到约10Torr范围内的标称值；将所述等离子体增强化学气相沉积加热器设置为提供具有从约375℃到约525℃范围内的标称值的衬底温度的温度；以及通过化学气相沉积在单个沉积步骤中在所述衬底上沉积厚度范围从约300埃到约1000埃的氮化硅膜，从而使所述沉积的氮化硅膜具有标称值范围从约-1.4GPa到约+1.5GPa的应力。