发明名称 互补金属氧化物半导体图像传感器
摘要 本发明涉及一种得到清晰图像的低功率互补金属氧化物半导体图像传感器,其中在相邻像素之间不会发生干扰而不用改变电路中的像素元件。像矩阵那样排列的像素电路的每一个借助于一个光电转换元件把入射光转换成电信号。在水平方向上从彼此相邻的像素电路输出的图像信号输入到在每列中的一个信号处理电路、经受预定信号处理,及由一个水平扫描电路按顺序切换和输出。排列信号处理电路,并且在相邻信号处理电路之间布置彼此平行的固定电位布线的每一根。因此,相邻信号处理电路由一根固定电位布线电气屏蔽。
申请公布号 CN1301004C 申请公布日期 2007.02.14
申请号 CN02157061.2 申请日期 2002.12.24
申请人 富士通株式会社 发明人 国分政利
分类号 H04N5/00(2006.01);H04N5/335(2006.01) 主分类号 H04N5/00(2006.01)
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 李德山
主权项 1.一种通过按顺序输出在根据X-Y寻址象矩阵那样布置的像素区域的每一个中检测的图像信号来获得图像的CMOS图像传感器,该传感器包括:多个像素电路,象矩阵那样布置,并且每个包括一个光电转换元件以进行入射光的光电转换以便输出与一个像素相对应的图像信号;多个信号处理电路,按等于在水平方向上排列的像素电路的数量排列,并且连接到在垂直方向上排列的所有像素电路上,用来对于来自在垂直方向排列的所有像素电路中的每一个的图像信号进行预定信号处理;一个水平扫描电路,用来按顺序切换和输出来自多个信号处理电路的图像信号;彼此平行的固定电位布线,并且每个布置在排列的多个信号处理电路的两个之间,其中固定电位布线总是形成在其中形成用来传输图像信号的多个信号处理电路中的信号传输布线的相同布线层中;以及其中所述CMOS图像传感器进一步包括仅在其上排列多个像素电路的一个区域上带有一个开口的一根用来遮光的布线,以便防止入射光照射除该区域之外的一部分,其中固定电位布线连接到用来遮光的布线上。
地址 日本神奈川