太阳光谱选择性吸收涂层的沉积方法

摘要

一种太阳光谱选择性吸收涂层的沉积方法，将基体放置在真空溅射室内，以金属或硅为靶材，使吸收层溅射靶溅射出金属或硅，在真空溅射室内通入氧气、氮气、一氧化碳、二氧化碳、四氟化碳、空气、乙炔中任意一种或任意二种或任意三种作为反应气体，使金属或硅及其与反应气体生成的反应物的混合物沉积在基体表面形成吸收层；以氧气、氮气、一氧化碳、二氧化碳、四氟化碳、空气中任意一种或任意二种或任意三种作为反应气体，在真空溅射室内通入硅烷，反应气体与硅烷的流量比为2∶1～8∶1，以铝或硅或活泼过渡元素金属为靶材，在减反射层溅射靶表面周围形成辉光放电区，在吸收层上沉积减反射层。优点是吸收比高、发射比低、沉积速率快，生产效率高。

主权项

1、一种太阳光谱选择性吸收涂层的沉积方法，其特征是：将基体放置在真空溅射室内，以金属Pt、Au、Cu、Ni、Al、Fe、Co、Mo、Ta、Nb、Cr、W、Ru、Cs、Ti或硅为靶材，使吸收层溅射靶溅射出金属或硅，在真空溅射室内通入反应溅射沉积吸收层的反应气体，所述的反应溅射沉积吸收层的反应气体为氧气、氮气、一氧化碳、二氧化碳、四氟化碳、空气、乙炔中任意一种或任意二种或任意三种，使金属或硅及其与反应气体生成的反应物的混合物沉积在基体表面，形成吸收层，所述的吸收层厚度为100-150nm；以氧气、氮气、一氧化碳、二氧化碳、四氟化碳、空气中任意一种或任意二种或任意三种作为沉积减反射层的反应气体，在真空溅射室内同时通入硅烷，所述的沉积减反射层的反应气体与硅烷的流量比为2∶1～8∶1，以铝或硅或活泼过渡金属为靶材，在减反射层溅射靶表面周围形成辉光放电区，在吸收层上沉积减反射层，所述的减反射层厚度为40nm-100nm。