| 主权项 |
1.一种具有导电凸块之晶圆薄化方法,其步骤系包 括: 于一设置有多数凹洞之承载台上贴置一胶片(Tape), 以覆盖该承载台之表面与该些凹洞,该些凹洞位置 系对应于一待进行薄化之晶圆上之导电凸块位置, 且该些凹洞之深度系不大于该导电凸块之高度,其 中该晶圆具有一作用表面及一相对之非作用表面, 且于该作用表面上形成有该导电凸块; 令位于该些凹洞上方之胶片贴附于凹洞表面; 将该晶圆之作用表面朝向该胶片而接置于该承载 台上,以令该晶圆上的每一导电凸块均容设于对应 凹洞上方之胶片中; 加热该胶片,以令该胶片充分包覆每一导电凸块之 根部;以及 进行研磨步骤,以薄化晶圆。 2.如申请专利范围第1项之具有导电凸块之晶圆薄 化方法,其中,该方法复包括于研磨步骤后,去除该 胶片之黏性,以将该胶片与该承载台分离。 3.如申请专利范围第2项之具有导电凸块之晶圆薄 化方法,其中,去除该胶片黏性之方法系对该胶片 进行U.V.照射。 4.如申请专利范围第2项之具有导电凸块之晶圆薄 化方法,其中,该方法复包括于分离该胶片与该承 载台后,自该晶圆上移除该胶片。 5.如申请专利范围第4项之具有导电凸块之晶圆薄 化方法,其中,自该晶圆上移除该胶片之方法系为 水洗。 6.如申请专利范围第1项之具有导电凸块之晶圆薄 化方法,其中,该凹洞系为一贯通孔。 7.如申请专利范围第1项之具有导电凸块之晶圆薄 化方法,其中,该凹洞系为一盲孔。 8.如申请专利范围第1项之具有导电凸块之晶圆薄 化方法,其中,该凹洞系以蚀刻方法所制成。 9.如申请专利范围第1项之具有导电凸块之晶圆薄 化方法,其中,位于该些凹洞上方之胶片系利用抽 真空步骤而贴附于该凹洞表面。 10.如申请专利范围第1项之具有导电凸块之晶圆薄 化方法,其中,该胶片系为树脂材料。 11.如申请专利范围第1项之具有导电凸块之晶圆薄 化方法,其中,该胶片之厚度系可小于该导电凸块 之高度。 12.如申请专利范围第1项之具有导电凸块之晶圆薄 化方法,其中,该胶片之厚度系为150um。 13.如申请专利范围第1项之具有导电凸块之晶圆薄 化方法,其中,该研磨步骤系针对该晶圆之非作用 表面进行研磨。 14.如申请专利范围第1项之具有导电凸块之晶圆薄 化方法,其中,该承载台系可重复使用。 图式简单说明: 第1A至1C图系习知晶圆薄化时所导致之问题的剖面 示意图; 第2A至2E图系为习知晶圆级晶片尺寸封装(WLCSP)之 制法剖面示意图; 第3图系为美国专利第6,753,238号所揭示之晶圆薄化 技术剖面示意图;以及 第4A至4I图系本发明所提出之晶圆薄化方法剖面示 意图。 |
