| 主权项 |
1.一种电源供应电路,包括: 一控制电路,耦接一电源并依据该电源之状态产生 一控制信号; 一电源转换器,耦接该电源并输出一重置电源电位 ; 一第一电源阻隔元件,耦接于该电源与该电源转换 器之间,用以限定电源供应方向;以及 一开关元件,耦接该电源转换器之输出,并依照该 控制信号决定其导通状态。 2.如申请专利范围第1项所述之电源供应电路,其中 该开关元件包括一P型电晶体,其一源/汲极与其本 体电性连接,该源/汲极偶接该电源转换器之输出 。 3.如申请专利范围第2项所述之电源供应电路,其中 该控制电路包括: 一重置电路,耦接该电源并输出一重置控制信号, 其中,当该电源之电位小于或等于一预设电位,该 重置控制信号被致能; 一第一阻抗元件,其一端耦接该P型电晶体的一源/ 汲极,其另一端耦接该P型电晶体的闸极; 一第二阻抗元件,其一端耦接该P型电晶体的闸极; 以及 一N型电晶体,其闸极耦接该重置电路的输出,其一 源/汲极耦接一共接电位,其另一源/汲极耦接该第 二阻抗元件之另一端。 4.如申请专利范围第3项所述之电源供应电路,其中 该控制电路更包括一微处理器,其因应于该重置控 制信号决定该N型电晶体的导通状态。 5.如申请专利范围第4项所述之电源供应电路,更包 括一第二电源阻隔元件,耦接于该电源与该微处理 器之间,用以提供电源至该该微处理器并限定电源 供应方向。 6.如申请专利范围第5项所述之电源供应电路,其中 该第二电源阻隔元件包括: 一线性电压调节器,耦接该电源电位; 一二极体,其阳极耦接该线性电压调节器的输出端 ;以及 一储能元件,其一端耦接该二极体的阴极,其另一 端耦接该共接电位。 7.如申请专利范围第6项所述之电源供应电路,其中 该储能元件为一电容,其容量至少为10uF。 8.如申请专利范围第7项所述之电源供应电路,其中 该二极体为一萧特基二极体。 9.如申请专利范围第1项所述之电源供应电路,其中 该第一电源阻隔元件包括: 一二极体,其阳极耦接该电源电位,其阴极耦接该 电源转换器;以及 一储能元件,其一端耦接该二极体的阴极,其另一 端耦接一共接电位。 10.如申请专利范围第9项所述之电源供应电路,其 中该储能元件为一电容,其容量至少为100uF。 11.如申请专利范围第9项所述之电源供应电路,其 中该二极体为一萧特基二极体。 12.如申请专利范围第1项所述之电源供应电路,更 包括一储能元件,耦接于该开关元件。 13.如申请专利范围第1项所述之电源供应电路,更 包括一储能元件,偶接该电源转换器之输出。 14.如申请专利范围第1项所述之电源供应电路,其 中,当该电源之电位小于或等于一预设电位时,该 控制信号被致能,该开关元件处于导通状态。 15.如申请专利范围第2项所述之电源供应电路,其 中该控制电路包括: 一重置电路,其输入端耦接该电源,其输出端耦接 该P型电晶体的闸极,用以控制P型电晶体的导通状 态。 16.如申请专利范围第15项所述之电源供应电路,其 中该重置电路输出一重置控制信号;当该电源之电 位小于等于一预设电位,该重置控制信号被致能。 17.如申请专利范围第16项所述之电源供应电路,更 包括 一第一阻抗元件,其一端耦接该P型电晶体的该源/ 汲极,其另一端耦接该P型电晶体的闸极; 一第二阻抗元件,耦接于该P型电晶体的闸极与该 重置基体电路的输出端之间。 18.如申请专利范围第17项所述之电源供应电路,更 包括: 一N型电晶体,其一源/汲极耦接一共接电位,其另一 源/汲极耦接该第二阻抗元件之另一端;以及 一微处理器,耦接该N型电晶体的闸极,用以决定该N 型电晶体的导通状态。 图式简单说明: 图1绘示为本创作实施例的一种电源供应电路之电 路图。 图2绘示为依照本创作实施例图1所实施的一种电 源供应电路之电路图。 图3绘示为依照本创作实施例图1所实施的另一种 电源供应电路之电路图。 图4绘示为习知LCOS面板单细胞的电路示意图。 |
