发明名称 具有微共振腔之太阳能电池
摘要 备有一种具有微共振腔之太阳能电池。第一反射结构接触在微共振腔之一面,其用以自微共振腔反射光束。第二反射结构接触在微共振腔之另一面,其用以可自外部及微共振腔反射光束。因此,光可在微共振腔内被有效吸收及转换成电子。
申请公布号 TWI273720 申请公布日期 2007.02.11
申请号 TW095101797 申请日期 2006.01.17
申请人 海德威电子工业股份有限公司;禧通科技股份有限公司 MILLENNIUM COMMUNICATION CO., LTD. 新竹县湖口乡新竹工业区光复南路5之1号 发明人 赖利弘;赖利温;谢文昇
分类号 H01L31/042(2006.01) 主分类号 H01L31/042(2006.01)
代理机构 代理人 蔡朝安 新竹市光复路2段295号17楼之1
主权项 1.一种太阳能电池,包含: 一吸收结构具有一第一面及一第二面; 一第一层接触至该第一面,其中该第一层用以利用 一第三面接收来自外部的光束,及以一第四面自该 吸收结构反射光束;及 一第二层接触该第二面,其用以反射来自吸收结构 的光束,其中,光共振在该第一层与该第二层配合 的方式下在该吸收结构中形成。 2.如申请专利范围第1项之太阳能电池,其中该吸收 结构包含前导体层、一吸收层及一后导体层。 3.如申请专利范围第2项之太阳能电池,其中该第一 面系由该前导体层所提供,及该第二面系由该后导 体层所提供。 4.如申请专利范围第2项之太阳能电池,其中该吸收 层系由一晶态矽基材料制成。 5.如申请专利范围第2项之太阳能电池,其中该吸收 层系由一非晶态矽基材料制成。 6.如申请专利范围第2项之太阳能电池,其中该吸收 层系由一半导体化合物制成。 7.如申请专利范围第2项之太阳能电池,其中该前导 体层及该后导体层系由不同掺杂之半导体材料制 成。 8.如申专利范围第1项之太阳能电池,其中该第一层 包含一抗反射涂层在该第三面。 9.如申请专利范围第1项之太阳能电池,其中该第一 层包含不同反射率之复数个层。 10.如申请专利范围第9项之太阳能电池,其中该第 一层具有自该第三面增加至该第四面之复数个反 射率。 11.如申请专利范围第1项之太阳能电池,其中该第 一层包含一高反射涂层在该第四面,并且该高反射 涂层具有一超过99.8%之反射率。 12.如申请专利范围第1项之太阳能电池,其中该第 二层由一金属材料制成。 13.如申请专利范围第1项之太阳能电池,其中该第 二层系由一合金材料制成。 14.如申请专利范围第1项之太阳能电池,其中该第 二层系由一分布式布拉格反射器之介电材料制成 。 15.如申请专利范围第1项之太阳能电池,其中该第 二层系由一半导体材料制成。 16.如申请专利范围第1项之太阳能电池,其中该第 二层系选自包含金属、合金、介电材料、绝缘材 料、半导体材料及以上各材料之组合之一组之材 料所制成。 17.一种具有微共振腔之太阳能电池,包含: 一微共振腔; 一第一反射结构接触该微共振腔之一面,其用以反 射来自该微共振腔的光束;及 一第二反射结构接触该微共振腔之另一面,其用以 反射来自外部及该微共振腔的光束。 18.如申请专利范围第17项之具有微共振腔之太阳 能电池,其中该第一反射结构更用以自外部接收光 束。 19.如申请专利范围第17项之具有微共振腔之太阳 能电池,其中该第一反射结构包含一反射涂层接触 该微共振腔。 20.如申请专利范围第17项之具有微共振腔之太阳 能电池,其中该第二反射结构系选自包含金属、合 金、介电材料、半导体材料及以上材料组合之一 材料制成。 图式简单说明: 第一图为根据本发明一实施例、说明光伏特之材 料系统之结构的剖面图;及 第二图为一示意图,说明本发明一具体实例之光束 路径。
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