| 主权项 |
1.一种光学记录媒体,能记录、抹除以及再生资料, 该光学记录媒体包括一记录层,其具有一特定区域 ,可记录其他资讯包括高速记录用之电压资讯,以 记录资料用之一记录图案,该记录图案包括具有高 /低写入电压位准的多脉冲列,而该低写入电压位 准被设定高于一偏压位准。 2.如申请专利范围第1项所述之光学记录媒体,其中 该电压资料系指可记录多脉冲列之一第一脉冲、 一多脉冲列及/或一最后脉冲的一记录图案。 3.如申请专利范围第1项所述之光学记录媒体,其中 由资料抹除用之一消除的多脉冲列所形成的一抹 除图案被记录,而该电压资讯系指具有高/低抹除 电压位准之该消除的多脉冲列,而低抹除电压位准 可设定等于一预定的直流电压位准,而高抹除电压 位准可设定等于该预定的直流电压位准,或该预定 的直流电压位准系在高抹除电压位准与低抹除电 压位准之间。 4.如申请专利范围第3项所述之光学记录媒体,其中 该最后脉冲的持续时间与该多脉冲列的持续时间 的比値,在系统所允许的抖动范围中具有一预定的 范围。 5.如申请专利范围第4项所述之光学记录媒体,其中 该系统所允许的抖动范围为7%,而该最后脉冲的持 续时间与该多脉冲列的持续时间的比値从0.9到1.3 。 6.如申请专利范围第4项所述之光学记录媒体,其中 当系统所允许的抖动范围为8%时,该最后脉冲的持 续时间与该多脉冲列的持续时间的比値从0.7到1.4 。 7.如申请专利范围第3项所述之光学记录媒体,其中 该系统所允许的抖动范围系决定该最后脉冲之冷 却持续时间的最小値,而该最后脉冲之冷却持续时 间的最大値系由一最小记录标记的长度所决定。 8.如申请专利范围第7项所述之光学记录媒体,其中 该记录图案之该最后脉冲之冷却持续时间系设定 为一最小记录标记的长度。 9.如申请专利范围第2项所述之光学记录媒体,其中 资料抹除用之该抹除图案的电压具有一预定直流 电压位准。 10.如申请专利范围第9项所述之光学记录媒体,其 中该最后脉冲的持续时间与该多脉冲列的持续时 间的比値,在系统所允许的抖动范围中具有一预定 的范围。 11.如申请专利范围第10项所述之光学记录媒体,其 中该系统所允许的抖动范围为7%,而该最后脉冲的 持续时间与该多脉冲列的持续时间的比値从0.9到1 .3。 12.如申请专利范围第10项所述之光学记录媒体,其 中当系统所允许的抖动范围为8%时,该最后脉冲的 持续时间与该多脉冲列的持续时间的比値从0.7到1 .4。 13.如申请专利范围第9项所述之光学记录媒体,其 中该系统所允许的抖动范围系决定该最后脉冲之 冷却持续时间的最小値,而该最后脉冲之冷却持续 时间的最大値系由一最小记录标记的长度所决定 。 14.如申请专利范围第7项所述之光学记录媒体,其 中该记录图案之该最后脉冲之冷却持续时间系设 定为一最小记录标记的长度。 15.如申请专利范围第1项所述之光学记录媒体,其 中抹除图案资讯包括该抹除图案之第一脉冲的一 电压位准以及最后脉冲的一电压位准,其记录于该 记录层之该特定区域上。 16.如申请专利范围第15项所述之光学记录媒体,其 中形成该抹除图案之第一脉冲与最后脉冲的电压 位准系以四种型式记录,包括该第一脉冲与最后脉 冲等于高抹除电压位准的第一型式,该第一脉冲等 于低抹除电压位准而该最后脉冲等于高抹除电压 位准的第二型式,该第一脉冲等于高抹除电压位准 而该最后脉冲等于低抹除电压位准的第三型式,以 及该第一脉冲与最后脉冲等于低抹除电压位准的 第四型式。 17.一种记录资料于一光学记录媒体上的方法,该方 法包括: 产生高速记录用之一记录波形,其具有一记录图案 ,该记录图案包括具有高/低写入电压位准的多脉 冲列,而该低写入电压位准高于一偏压位准;以及 利用该产生的记录波形,以作为形成一标记之第一 位准以及形成一空格之一第二位准。 18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该记录 图案系由可记录多脉冲列之一第一脉冲、一多脉 冲列及/或一最后脉冲所形成。 19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中资料抹 除用之一抹除图案的电压具有一预定的直流电压 。 20.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该最后 脉冲的持续时间与该多脉冲列的持续时间的比値, 在系统所允许的抖动范围中具有一预定的范围。 21.一种记录资料于一光学记录媒体上的方法,该方 法包括: 产生高速记录用之一记录波形,其具有多脉冲列之 一记录图案以及一抹除图案,该记录图案的多脉冲 列具有高/低写入电压位准,而该低写入电压位准 高于一偏压位准;以及 利用该产生的记录波形,以作为形成一标记之第一 位准以及形成一空格之一第二位准。 22.如申请专利范围第21项所述之方法,其中该记录 图案系由可记录多脉冲列之一第一脉冲、一多脉 冲列及/或一最后脉冲所形成。 23.如申请专利范围第22项所述之方法,其中该记录 的多脉冲列的时间周期对应于范围在0.25-2.0Tw之间 的一计时视窗。 24.如申请专利范围第23项所述之方法,其中该记录 的多脉冲列的时间周期等于1.0Tw。 25.如申请专利范围第23项所述之方法,其中该记录 的多脉冲列的时间周期等于2.0Tw。 26.如申请专利范围第22项所述之方法,其中组成该 抹除图案之该多脉冲列的电压位准系周期变化于 至少二位准之间,包括一高抹除电压位准以及一低 抹除电压位准。 27.如申请专利范围第22项所述之方法,其中该最后 脉冲的持续时间与该多脉冲列的持续时间的比値, 在系统所允许的抖动范围中具有一预定的范围。 28.如申请专利范围第22项所述之方法,其中该系统 所允许的抖动范围系决定该最后脉冲之冷却持续 时间的最小値,而该最后脉冲之冷却持续时间的最 大値系由一最小记录标记的长度所决定。 29如申请专利范围第28项所述之方法,其中该最后 脉冲之冷却持续时间系设定为一最小记录标记的 长度。 30.如申请专利范围第22项所述之方法,更包括写入 有关于所产生的记录波形的电压资讯于一记录层 之一特定区域上。 31.一种记录资料于一光学记录媒体上之装置,该装 置包括: 一记录波形产生电路,用以产生高速记录用之一记 录波形,其具有一记录图案,该记录图案包括具有 高/低写入电压位准的多脉冲列,而该低写入电压 位准高于一偏压位准;以及 一攫取单元,根据该产生之记录波形并藉由雷射光 以形成一标记或一空格于该光学记录媒体上,以记 录该资料。 32.如申请专利范围第31项所述之装置,其中该记录 图案系由可记录多脉冲列之一第一脉冲、一多脉 冲列及/或一最后脉冲所形成。 33.如申请专利范围第32项所述之装置,其中该记录 波形更包括一抹除图案,其系由资料抹除用之一抹 除的多脉冲列所组成,而该抹除的多脉冲列具有一 高抹除电压位准以及一低抹除电压位准,而低抹除 电压位准Pbe可设定等于一预定的直流电压位准,而 高抹除电压位准Ppe可设定等于该预定的直流电压 位准,或该预定的直流电压位准系在该高抹除电压 位准Ppe与该低抹除电压位准Pbe之间。 34.如申请专利范围第32项所述之装置,其中该最后 脉冲的持续时间与该多脉冲列的持续时间的比値, 在系统所允许的抖动范围中具有一预定的范围。 35.如申请专利范围第33项所述之装置,其中该系统 所允许的抖动范围系决定该最后脉冲之冷却持续 时间的最小値,而该最后脉冲之冷却持续时间的最 大値系由一最小记录标记的长度所决定。 36.如申请专利范围第35项所述之装置,其中该记录 图案之该最后脉冲之冷却持续时间系设定为一最 小记录标记的长度。 37.如申请专利范围第32项所述之装置,其中资料抹 除用之该抹除图案的电压具有一预定直流电压位 准。 38.如申请专利范围第37项所述之装置,其中该最后 脉冲的持续时间与该多脉冲列的持续时间的比値, 在系统所允许的抖动范围中具有一预定的范围。 39.一种光学记录媒体,包括一记录层,其中记录一 资料时,记录一图案用之一写入电压的低位准系设 定高于一偏压位准。 40.一种光学记录媒体,包括一记录层,其中标记的 前缘与后缘的形状因抹除电压位准适于记录脉冲 形状之标记于该光学记录媒体上,以避免失真产生 ,其中由多脉冲列所形成的一抹除图案被记录,该 多脉冲列具有高/低抹除电压位准,而低抹除电压 位准设定等于该抹除电压位准的一预定的直流电 压位准,而高抹除电压位准设定等于该预定的直流 电压位准,或该预定的直流电压位准系在高抹除电 压位准与低抹除电压位准之间。 41.一种光学记录媒体,包括一记录层,其中消除电 压之高/低位准的持续时间可控制在0.25-2.0Tw范围 内的记时视窗Tw,而当资料记录在该光学记录媒体 时,可选择适于该光学记录媒体之热特性用之消除 电压的高/低位准的持续时间。 42.一种光学记录媒体,包括一记录层,其中当记录 的多脉冲列与抹除的多脉冲列的时间周期为2.0Tw 时,相对地,藉由增加入射于该光学记录媒体上之 光量以形成一良好的标记,但不需增加写入电压与 消除电压。 图式简单说明: 图1A绘示一种不归零翻转(NRZI)资料而图1B绘示习知 一种记录波形的示意图。 图2绘示本发明一较佳实施例之一种记录资料用装 置的方块示意图。 图3系表示图2之一实施范例。 图4A-图7D绘示记录波形产生电路所产生的记录波 形的示意图。 图8A-图8E绘示本发明四种抹除图案的波形示意图 。 图9A-图9D绘示依据本发明之一种减少抖动之记录 波形的示意图。 图10绘示依据图9之记录波形的抖动与记录电压之 间的关系图,其对应于多脉冲列的持续时间与最后 脉冲的持续时间的比値。 图11绘示依据图9之记录波形的抖动与最后脉冲之 冷却持续时间之间的关系图。 图12绘示依据本发明一较佳实施例之一种记录资 料的方法的流程图。 |
