| 主权项 |
1.一种层合膜之制造方法,其系制造含有多层之层 合膜的方法,其特征为含有以下步骤:该多层中,至 少一层由湿润凝所形成,在超临界条件下使该湿润 凝胶乾燥的步骤。 2.如申请专利范围第1项之层合膜之制造方法,其中 该至少一层系以低折射率材料所构成。 3.如申请专利范围第1项之层合膜之制造方法,其中 该至少一层系以聚合物所构成。 4.如申请专利范围第1项之层合膜之制造方法,其中 该至少一层为可穿透之多孔质体。 5.如申请专利范围第1项之层合膜之制造方法,其系 多层中,至少一层为阻隔层。 6.如申请专利范围第5项之层合膜之制造方法,其中 该阻隔层为含有氮化矽、氧化氮化矽、氧化矽中 之至少一种。 7.如申请专利范围第5项之层合膜之制造方法,其中 该阻隔层系将乾燥剂及吸附剂中之至少一种分散 于所定的材料中。 8.一种光电装置,其特征为具备藉由如申请专利范 围第1项之层合膜之制造方法所制造之层合膜及光 电元件。 9.一种光电装置之制造方法,其系制造含有具备光 学材料之光电元件之光电装置的方法,其特征系具 有下述步骤:形成构成该光电装置之构件中之至少 一个构件之步骤的至少一部分由湿润凝胶所形成, 在超临界条件下使该湿润凝胶乾燥的步骤。 10.一种光电装置之制造方法,其系制造含有具备光 学材料之光电元件之光电装置的方法,其特征系含 有形成聚合物层及低折射率层中之至少一层的步 骤,该步骤之至少一部分由湿润凝胶所形成,且具 有在超临界条件下使该湿润凝胶乾燥的步骤。 11.如申请专利范围第9或10项之光电装置之制造方 法,其中该光学材料为有机电激发光材料。 12.一种光电装置之制造方法,其系如申请专利范围 第8项之光电装置之制造方法,其特征系含有形成 阻隔层的步骤。 13.一种有机电激发光装置的制造方法,其系具备有 机电激发光元件之有机电激发光装置的制造方法, 其特征为含有形成聚合物及低折射率层中至少一 层的步骤,该步骤之至少一部分在超临界条件下进 行。 14.一种有机电激发光装置的制造方法,其系如申请 专利范围第13项之光电装置之制造方法,其特征系 含有形成阻隔层之步骤。 15.一种电子机器,其特征系具备如申请专利范围第 8项之光电装置。 16.一种电子机器,其特征系具备藉由如申请专利范 围第9项之光电装置之制造方法所制造之光电装置 。 17.一种电子机器,其特征系具备藉由如申请专利范 围第13项之有机电激发光装置。 图式简单说明: [图1]系表示以本发明之光电装置之制造方法所形 成之光电装置之有机电激发光显示装置之一例的 概略构成图。 [图2]系表示超临界装置之一例的概略构成图。 [图3]系表示以本发明之光电装置之制造方法所形 成之层合膜之一例的断面图。 [图4]系说明本发明之光电装置之制造方法之说明 图。 [图5]系说明本发明之光电装置之制造方法之说明 图。 [图6]系表示以本发明之光电装置之制造方法所形 成之光电装置之层构成之其他例的概略构成图。 [图7]系表示主动矩阵型有机电激发光显示装置之 电路图。 [图8]系表示图7之显示装置之像素部之平面构造的 放大图。 [图9]系表示以本发明之光电装置之制造方法所制 造之有机电激发光显示装置之层构成之一例的图 。 [图10]系说明本发明之光电装置之制造方法之说明 图。 [图11]系说明本发明之光电装置之制造方法之说明 图。 [图12]系表示以本发明之光电装置之制造方法所制 造之有机电激发光显示装置之层构成之其他例的 图。 [图13]系表示以本发明之光电装置之制造方法所制 造之有机电激发光显示装置之层构成之其他例的 图。 [图14]系表示以本发明之光电装置之制造方法所制 造之有机电激发光显示装置之层构成之其他例的 图。 [图15]系表示以本发明之光电装置之制造方法所制 造之有机电激发光显示装置之层构成之其他例的 图。 [图16]系表示以本发明之光电装置之制造方法所制 造之有机电激发光显示装置之层构成之其他例的 图。 [图17]系表示以本发明之光电装置之制造方法所制 造之有机电激发光显示装置之层构成之其他例的 图。 [图18]系表示以本发明之光电装置之制造方法所制 造之被动矩阵型有机电激发光显示装置的图,(a)为 平面图、(b)为(a)之B-B断面图。 [图19]系表示具备本发明之光电装置之电子机器之 一例的图。 [图20]系表示具备本发明之光电装置之电子机器之 一例的图。 [图21]系表示具备本发明之光电装置之电子机器之 一例的图。 [图22]系表示以往之光电装置之一例的概略构成图 。 |
