| 主权项 |
1.一种电源开启重置电路,其包含: 一反相器,其拥有一输入端点和一输出端点; 一开关装置,其连接在该反相器的该输入端点和一 电源供应器之间,且其拥有与该反相器的该输出端 点连接之一控制端点; 一复数个等效二极体电晶体,其以串联方式连接在 该电源供应器与该反相器的该输入端之间; 另一等效二极体电晶体,其与该复数个等效二极体 电晶体反相串联,且被连接在该反相器的该输入端 与一电路接地之间。 2.如申请专利范围第1项所述之电源开启重置电路, 该另一等效二极体电晶体被以反相偏压方式配置 。 3.如申请专利范围第1项所述之电源开启重置电路, 该复数个等效二极体电晶体中,每一该电晶体都是 以共汲闸极(common drain-gate)连接之一MOS电晶体来实 现。 4.如申请专利范围第1项所述之电源开启重置电路, 该开关装置包含一PMOS电晶体。 5.如申请专利范围第4项所述之电源开启重置电路, 该PMOS电晶体的闸极连接到该控制端点,该电晶体 的源极连接到该电源供应器,该电晶体的汲极则连 接到该反相器的该输入端点。 6.一种电源开启重置装置,其被使用在一积体电路 内用以产生一重置讯号,其包含: 一复数个等效二极体电晶体,其以串联方式被连接 在一电源供应器与一接点之间; 另一等效二极体电晶体,其与该复数个等效二极体 电晶体反相串联,且被连接在该接点与一电路接地 之间; 一栓锁器,其与该接点连接且当该电源供应器的该 输出电压超过一运作电压时,将该重置讯号栓锁在 一预定逻辑准位。 7.如申请专利范围第6项所述之电源开启重置装置, 该栓锁器包含: 一反相器,其拥有与该接点连接之一输入端以及用 以提供该重置讯号之一输出端;以及 一PMOS电晶体,其拥有与该反相器的该输出端连接 之一闸极,与该电源供应器连接之一源极以及与该 反相器的该输入端连接之一汲极。 8.如申请专利范围第6项所述之电源开启重置装置, 该另一等效二极体电晶体被以反相偏压方式配置 。 9.如申请专利范围第6项所述之电源开启重置装置, 该复数个等效二极体电晶体中,每一该电晶体都是 以共汲闸极连接之一MOS电晶体来实现。 10.一种电源开启重置装置,其被使用在一积体电路 内,当电源开启时用以产生一重置讯号,其包含: 一负载装置,其被连接在一电源供应器和一接点之 间; 一等效二极体电晶体,其被以反相偏压方式配置且 被连接在该接点与一电路接地之间;以及 一栓锁器,其与该接点连接且当该电源供应器的该 输出电压超过一运作电压时,将该重置讯号栓锁在 一预定逻辑准位。 11.如申请专利范围第10项所述之电源开启重置装 置,该负载装置包含复数个等效二极体电晶体,其 以串联方式被连接在该电源供应器与该接点之间 。 12.如申请专利范围第11项所述之电源开启重置装 置,该复数个等效二极体电晶体中,每一该电晶体 系以共汲闸极连接之一MOS电晶体来实现。 13.如申请专利范围第10项所述之电源开启重置装 置,该栓锁器包含: 一反相器,其拥有与该接点连接之一输入端以及用 以提供该重置讯号之一输出端;以及 一PMOS电晶体,其拥有与该反相器的该输出端连接 之一闸极,与该电源供应器连接之一源极以及与该 反相器的该输入端连接之一汲极。 图式简单说明: 第1图为习知电源开启重置电路的一结构示意图; 第2图为本发明一实施例的电源开启重置电路的一 结构示意图;且 第3图为帮助了解本发明的一电阻-电压特性图。 |
