| 主权项 |
1.一种资讯储存媒体,该资讯储存媒体包括: 至少两层资讯储存层,每一该资讯储存层包括一个 用以获得一光学记录条件之最佳功率控制区,其中 该些资讯储存层之相邻层的该些最佳功率控制区 位于该资讯储存媒体之不同半径内,以及至少一缓 冲区位于至少一最佳功率控制区之至少一侧。 2.如申请专利范围第1项所述之资讯储存媒体,其中 若该些相邻的资讯储存层之该些最佳功率控制区 于该资讯储存媒体之一径向上彼此相隔一小距离, 则该距离至少是一个制造该资讯储存媒体时所需 之容许范围。 3.如申请专利范围第2项所述之资讯储存媒体,该资 讯储存媒体更包括复数个位于每一该最佳功率控 制区的两侧之缓冲区,每一该缓冲区的大小至少是 该容许范围。 4.如申请专利范围第3项所述之资讯储存媒体,该资 讯储存媒体更包括一个与位于该些最佳功率控制 区周围之该些缓冲区之一相邻之保留区。 5.如申请专利范围第1项所述之资讯储存媒体,该资 讯储存媒体更包括复数个资料记录区以及一个介 于相邻的该些资料记录区之间的缓冲区。 6.如申请专利范围第1项所述之资讯储存媒体,该资 讯储存媒体更包括一缺陷管理区以及一使用者资 料区,并且包括一个位于该缺陷管理区与该使用者 资料区之间的缓冲区。 7.如申请专利范围第3项所述之资讯储存媒体,其中 每一该缓冲区于该资讯储存媒体之该径向上的一 长度是在5至100微米(m)之范围。 8.如申请专利范围第3项所述之资讯储存媒体,其中 该容许范围是考虑下列因素当中至少一项而获得 的:一个测定每一区域的一起始位置之误差;一个 用以记录及再生之光束的大小;以及离心率。 9.如申请专利范围第1项所述之资讯储存媒体,其中 一个用以储存只可再生资料之区域位于该些资讯 储存层之一,使得该只可再生资料面对相邻的该些 资讯储存层之一的该最佳功率控制区。 10.如申请专利范围第9项所述之资讯储存媒体,其 中碟片相关资讯及碟片控制资料将记录于用以储 存该只可再生资料之该区域。 11.如申请专利范围第1项所述之资讯储存媒体,其 中该至少一缓冲区位于该至少一最佳功率控制区 之两侧。 12.一种资讯储存媒体,该资讯储存媒体包括: 复数层资讯储存层,每一该资讯储存层包括一个用 以获得一最佳记录条件之最佳功率控制区,其中一 单数资讯储存层之该最佳功率控制区与一相邻的 偶数资讯储存层之该最佳功率控制区位于该资讯 储存媒体之不同半径内,使得即使在每一该资讯储 存层有一制造误差时该单数资讯储存层之该最佳 功率控制区与该偶数资讯储存层之该最佳功率控 制区也不会互相面对,以及至少一缓冲区位于至少 一最佳功率控制区之至少一侧。 13.如申请专利范围第12项所述之资讯储存媒体,其 中若该些相邻的资讯储存层之该些最佳功率控制 区于该资讯储存媒体之一径向上彼此相隔一小距 离,则该距离至少是一个制造该资讯储存媒体时所 需之容许范围。 14.如申请专利范围第13项所述之资讯储存媒体,该 资讯储存媒体更包括将每一区都具有至少是该容 许范围的大小之一缓冲区及一保留区当中至少一 区置于每一该最佳功率控制区的两侧。 15.如申请专利范围第12项所述之资讯储存媒体,该 资讯储存媒体更包括一缺陷管理区以及一使用者 资料区,其中一缓冲区包含于该缺陷管理区与该使 用者资料区之间。 16.如申请专利范围第15项所述之资讯储存媒体,其 中该缓冲区于该资讯储存媒体之该径向上的一长 度是在5至100微米(m)之范围。 17.如申请专利范围第12项所述之资讯储存媒体,其 中一缓冲区及一保留区之一位于一资讯储存层,以 面对一相邻的资讯储存层的该最佳功率控制区。 18.如申请专利范围第12项所述之资讯储存媒体,其 中一个用以储存只可再生资料之区域位于一资讯 储存层,以面对一相邻的资讯储存层的该最佳功率 控制区。 19.如申请专利范围第12项所述之资讯储存媒体,其 中该至少一缓冲区位于该至少一最佳功率控制区 之两侧。 20.一种资讯储存媒体,该资讯储存媒体包括: 复数层资讯储存层,每一该资讯储存层包括一个用 以获得一最佳记录条件之最佳功率控制区以及一 个用以储存只可再生资料之区域,其中该些资讯储 存层之一的该最佳功率控制区将排列成面对该些 资讯储存层之一相邻层的该只可再生区,以及至少 一缓冲区位于至少一最佳功率控制区之至少一侧 。 21.如申请专利范围第20项所述之资讯储存媒体,其 中该只可再生区大于该最佳功率控制区。 22.如申请专利范围第20项所述之资讯储存媒体,该 资讯储存媒体更包括复数个位于该最佳功率控制 区的两侧之缓冲区。 23.如申请专利范围第22项所述之资讯储存媒体,其 中每一该缓冲区的大小对应于一个制造该资讯储 存媒体时所需之容许范围。 24.如申请专利范围第23项所述之资讯储存媒体,其 中该容许范围是考虑下列因素当中至少一项而获 得的:一个测定每一区域的一起始位置之误差;一 个用以记录及再生之光束的大小;以及离心率。 25.如申请专利范围第20项所述之资讯储存媒体,其 中碟片相关资讯及碟片控制资料将重复记录于该 只可再生区。 26.如申请专利范围第20项所述之资讯储存媒体,该 资讯储存媒体更包括: 复数个缓冲区,该些缓冲区位于该最佳功率控制区 的两侧,而该些缓冲区之一位于该最佳功率控制区 之前且其大小对应于首先要记录之一对碟片相关 资讯及碟片控制资料。 27.如申请专利范围第20项所述之资讯储存媒体,其 中该至少一缓冲区位于该至少一最佳功率控制区 之两侧。 28.一种多层资讯储存媒体,该资讯储存媒体包括: 一第一资讯储存层,该第一资讯储存层包括一第一 最佳功率控制区;以及 一第二资讯储存层,该第二资讯储存层与该第一资 讯储存层相邻且包括一第二最佳功率控制区,其中 该些第一及第二最佳功率控制区并未重叠,以及至 少一缓冲区位于该第一与第二最佳功率控制区之 至少一之至少一侧。 29.如申请专利范围第28项所述之多层资讯储存媒 体,其中即若该第一资讯储存层与该第二资讯储存 层相对而言是离心的,该些第一及第二最佳功率控 制区也不会重叠。 30.如申请专利范围第28项所述之多层资讯储存媒 体,该资讯储存媒体更包括: 复数个缓冲区,该些缓冲区位于该第一最佳功率控 制区的每一边且位于该第二最佳功率控制区的每 一边。 31.如申请专利范围第30项所述之多层资讯储存媒 体,其中每一该缓冲区定义一个该第一最佳功率控 制区与该第二最佳功率控制区在一径向上的分隔 距离。 32.如申请专利范围第31项所述之多层资讯储存媒 体,其中该分隔距离是在5至100微米(m)之范围。 33.如申请专利范围第31项所述之多层资讯储存媒 体,其中该些缓冲区大于一个制造该资讯储存媒体 时所需之容许范围。 34.如申请专利范围第33项所述之多层资讯储存媒 体,其中该容许范围是考虑下列因素当中至少一项 而获得的;一个测定每一区域的一起始位置之误差 ;一个用以记录及再生之光束的大小;以及离心率 。 35.如申请专利范围第30项所述之多层资讯储存媒 体,该资讯储存媒体更包括: 一第一保留区,该第一保留区位于该第一最佳功率 控制区的一边;以及 一第二保留区,该第二保留区位于该第二最佳功率 控制区的一边,其中若第一资讯储存层与第二资讯 储存层之间不存在离心率,则该第一保留区将对齐 该第二最佳功率控制区且该第二保留区将对齐该 第一最佳功率控制区。 36.如申请专利范围第35项所述之多层资讯储存媒 体,其中该些缓冲区与该些第一及第二保留区比该 些第一及第二最佳功率控制区长。 37.如申请专利范围第28项所述之多层资讯储存媒 体,该资讯储存媒体更包括: 复数个缓冲区,该些缓冲区位于该第一最佳功率控 制区的一边且位于该第二最佳功率控制区的一边 。 38.如申请专利范围第37项所述之多层资讯储存媒 体,该资讯储存媒体更包括: 一第一保留区,该第一保留区位于该第一最佳功率 控制区的一边;以及 一第二保留区,该第二保留区位于该第二最佳功率 控制区的一边,其中该第一保留区与该第二最佳功 率控制区重叠且该第二保留区与该第一最佳功率 控制区重叠。 39.如申请专利范围第38项所述之多层资讯储存媒 体,其中该些缓冲区与该些第一及第二保留区比该 些第一及第二最佳功率控制区长。 40.如申请专利范围第38项所述之多层资讯储存媒 体,其中该些缓冲区大于一个制造该资讯储存媒体 时所需之容许范围。 41.如申请专利范围第40项所述之多层资讯储存媒 体,其中该容许范围是考虑下列因素当中至少一项 而获得的:一个测定每一区域的一起始位置之误差 ;一个用以记录及再生之光束的大小;以及离心率 。 42.如申请专利范围第38项所述之多层资讯储存媒 体,其中该些第一及第二保留区是该缓冲区的两倍 大。 43.如申请专利范围第37项所述之多层资讯储存媒 体,该资讯储存媒体更包括: 一第一再生区,该第一再生区与位于该第一最佳功 率控制区的一边之该缓冲区相邻;以及 一第二再生区,该第二再生区与位于该第二最佳功 率控制区的一边之该缓冲区相邻,其中该第一再生 区与该第二最佳功率控制区重叠且该第二再生区 与该第一最佳功率控制区重叠。 44.如申请专利范围第43项所述之多层资讯储存媒 体,其中仅用以再生之该些第一及第二再生区分别 大于该些第一及第二最佳功率控制区。 45.如申请专利范围第43项所述之多层资讯储存媒 体,其中该第一再生区及该第二再生区包含碟片相 关资讯及碟片控制资料。 46.如申请专利范围第43项所述之多层资讯储存媒 体,该资讯储存媒体更包括: 一第一保护区,该第一保护区排列在该第一再生区 与位于该第一最佳功率控制区的一边之该缓冲区 之间;以及 一第二保护区,该第二保护区排列在该第二再生区 与位于该第二最佳功率控制区的一边之该缓冲区 之间,其中该第一保护区对齐该第二保护区。 47.如申请专利范围第46项所述之多层资讯储存媒 体,其中该些第一及第二保护区形成一再生及/或 记录装置之复数条路径以便在该资讯储存媒体之 该径向上于各层之间传输。 48.如申请专利范围第28项所述之资讯储存媒体,其 中该至少一缓冲区位于该第一与第二最佳功率控 制区之该至少一之两侧。 49.一种多层资讯储存媒体,该资讯储存媒体包括: 复数层连续编号之资讯储存层,每一该资讯储存层 包括一最佳功率控制区,其中该些单数资讯储存层 之该些最佳功率控制区互相对齐,该些偶数资讯储 存层之该些最佳功率控制区互相对齐而且不对齐 该些单数资讯储存层之该些最佳功率控制区。 50.如申请专利范围第49项所述之多层资讯储存媒 体,其中即若该些单数资讯储存层与该些偶数资讯 储存层相对而言是最大程度之离心,该些单数资讯 储存层及该些偶数资讯储存层之该些最佳功率控 制区也不会重叠。 51.如申请专利范围第49项所述之多层资讯储存媒 体,其中该资讯储存媒体的记录特性可避免因该些 单数资讯储存层的该些最佳功率控制区及该些偶 数资讯储存层的该些最佳功率控制区当中一区之 一最佳功率控制程序影响到其他区而衰减。 52.一种用以记录资料于一资讯储存媒体之装置,该 资讯储存媒体包括复数层资讯储存层,每一该资讯 储存层具有一最佳功率控制区,该装置包括: 一记录器,该记录器将资料写入该资讯储存媒体; 以及 一控制器,该控制器控制该记录器使得该些资讯储 存层当中相邻层之该些最佳功率控制区位于该资 讯储存媒体之不同半径内,以及至少一缓冲区位于 至少一最佳功率控制区之至少一侧。 53.如申请专利范围第52项所述之装置,其中若该些 相邻的资讯储存层之该些最佳功率控制区于该资 讯储存媒体之一径向上彼此相隔一小距离,则该距 离至少是一个制造该资讯储存媒体时所需之容许 范围。 54.如申请专利范围第52项所述之装置,其中该至少 一缓冲区位于该至少一最佳功率控制区之两侧。 55.一种记录资料于一资讯储存媒体之方法,该资讯 储存媒体包括复数层资讯储存层,每一该资讯储存 层具有一最佳功率控制区,该方法包括: 记录资料于用以获得一光学记录条件之该最佳功 率控制区;以及 将该些资讯储存层当中相邻层之该些最佳功率控 制区置于该资讯储存媒体之不同半径内,以及至少 一缓冲区位于至少一最佳功率控制区之至少一侧 。 56.如申请专利范围第55项所述之方法,其中若该些 相邻的资讯储存层之该些最佳功率控制区于该资 讯储存媒体之一径向上彼此相隔一小距离,则该距 离至少是一个制造该资讯储存媒体时所需之容许 范围。 57.如申请专利范围第55项所述之方法,其中该至少 一缓冲区位于该至少一最佳功率控制区之两侧。 图式简单说明: 第1图是习知双层资讯储存媒体的资料区之布置图 。 第2A图及第2B图绘示第1图之习知双层资讯储存媒 体的最佳功率控制(OPC)区对于最佳功率控制(OPC)区 以外的区域之影响。 第3A图是根据本发明之一实施例之双层资讯储存 媒体的资料区之布置图。 第3B图是根据本发明之一实施例之单层资讯储存 媒体的资料区之布置图。 第4A图及第4B图绘示第3A图之双层资讯储存媒体之 不同离心状态。 第5A图是根据本发明之一实施例之四层资讯储存 媒体的资料区之布置图。 第5B图绘示第5A图之四层资讯储存媒体之一离心状 态。 第6A图绘示第3A图之双层资讯储存媒体之一变化类 型。 第6B图及第6C图绘示第6A图之双层资讯储存媒体之 不同离心状态。 第7A图绘示第3A图之双层资讯储存媒体之另一变化 类型。 第7B图绘示第3B图之单层资讯储存媒体之一变化类 型。 第8图是根据本发明之另一实施例之双层资讯储存 媒体的资料区之布置图。 第9图绘示第8图之双层资讯储存媒体之一变化类 型。 第10图是根据本发明之一实施例之一种记录资讯 于一资讯储存媒体或从一资讯储存媒体再生资讯 之装置之方块图。 第11图是用以实施第10图之装置之碟机之方块图。 |
