| 主权项 |
1.一种具有内建式感应空腔之表面声波晶片,是藉 一电性连接单元与一基板电性连接,可将一电信号 处理成一预定的频率信号后,依序经由该电性连接 单元、该基板向外传递,该表面声波晶片包含: 一基材,具有一表面及一相反于该表面之连结面, 该连结面与该基板相连结; 一指叉状换能器,形成于该基材表面,是接收该电 信号后转换成表面声波信号处理,再将处理后的表 面声波信号转换成该预定的频率信号; 至少一与该指叉状换能器电性连接的连接垫,形成 在该基材之表面,是供该电性连接单元分别电性连 接该表面声波晶片与该基板;及 一罩覆壳,自该基材之表面更向上形成,并与该基 材之表面共同界定出一供该指叉状换能器容置且 与外界相隔绝的感应空腔。 2.依据申请专利范围第1项所述具有内建式感应空 腔之表面声波晶片,其中,该基材是选自由下列具 压电性之单晶材料所构成之群组,且该指叉状换能 器是一不具压电性的电极:石英晶体(Quartz)、铌酸 锂晶体(LiNbO3)、钽酸锂晶体(LiTaO3)、硼酸锂晶体(Li 2B4O7)、Langasite晶体(La3Ga5SiO14),及此等之组合。 3.依据申请专利范围第1项所述具有内建式感应空 腔之表面声波晶片,其中,该基材包含一以不具压 电性之材料所构成的底层,及一形成于该底层上并 选自由下列具压电性之材料所构成之群组的薄膜 层,且该指叉状换能器是一不具压电性的电极:氧 化锌(ZnO)、氧化铝(Al2O3)、PZT(PbZrO3),及此等之组合 。 4.依据申请专利范围第1项所述具有内建式感应空 腔之表面声波晶片,其中,该罩覆壳包含一自该基 材表面向上形成的周壁,及一连结该周壁顶缘的顶 壁,该周壁、顶壁与该基材表面共同界定出该感应 空腔,且该顶壁与该指叉状换能器相间隔一预定距 离。 5.依据申请专利范围第4项所述具有感应空腔之表 面声波晶片,其中,该周壁与该顶壁是选自由下列 化学乾膜所构成之群组所构成:光阻、环氧树脂、 聚亚醯胺(Polyimide)、苯环丁烯(Benzocyclobutene)、压 克力,及此等之组合。 6.一种具有内建式感应空腔之表面声波晶片的制 造方法,是制造一可将处理一电信号处理成一预定 的频率信号的表面声波晶片,该制造方法包含: (a) 在一基材表面形成一指叉状换能器与至少一与 该指叉状换能器电性连接的连接垫,该指叉状换能 器是接收该电信号后转换成表面声波信号处理,再 将处理后的表面声波信号转换成该预定的频率信 号,该连接垫是在封装时供一电性连接单元分别电 性连接该表面声波晶片与一基板时所用;及 (b) 自该基材之表面更向上形成一罩覆壳,使该罩 覆壳与该基材表面共同界定出一供该指叉状换能 器容置且与外界相隔绝的感应空腔。 7.依据申请专利范围第6项所述具有内建式感应空 腔之表面声波晶片的制造方法,其中,该步骤(a)是 以半导体制程进行。 8.依据申请专利范围第6项所述具有内建式感应空 腔之表面声波晶片的制造方法,其中,该步骤(b)是 以光蚀刻与乾膜成型制程制成该罩覆壳。 9.依据申请专利范围第8项所述具有内建式感应空 腔之表面声波晶片的制造方法,其中,该步骤(b)包 含以下次步骤: (b1) 在该指叉状换能器、连接垫与基材之表面贴 覆一感光性乾膜; (b2) 进行光蚀刻过程,使该化学乾膜形成预定图像 而使该指叉状换能器与连接垫裸露,同时,留存之 部份化学乾膜形成一自该基材表面向上形成之周 壁,该周壁将该指叉状换能器环围其中,且该周壁 顶面高于该指叉状换能器表面;及 (b3) 以另一同型之化学乾膜贴覆于该周壁之一顶 缘而形成一顶壁,使该顶壁、周壁形成该罩覆壳。 图式简单说明: 图1是一习知表面声波晶片的立体图; 图2是一侧视图,说明图1之表面声波晶片以壳式封 装封装成一封装件之态样; 图3是一侧视图,说明本发明具有内建式感应空腔 之表面声波晶片的一较佳实施例; 图4是一侧视图,说明图3本发明具有内建式感应空 腔之表面声波晶片以胶体封装封装成一封装件之 态样;及 图5是一流程图,说明图3本发明具有内建式感应空 腔之表面声波晶片的制造过程。 |
