| 主权项 |
1.一种多层结构,包括: 一基板;以及 一变化层形成于该基板上, 其中该变化层之一部分容积受到一雷射光束之照 射而改变,一旦该部分的温度超过一预设温度时。 2.如申请专利范围第1项所述之多层结构,其中该基 板之材质为玻璃(SiO2)或聚碳酸酯(polycarbonate)。 3.如申请专利范围第1项所述之多层结构,其中该变 化层包括一合金以及一介电材料所组成之一合金 介电层。 4.如申请专利范围第3项所述之多层结构,其中该合 金包括一稀土族金属以及一过渡金属。 5.如申请专利范围第3项所述之多层结构,其中该合 金介电层系由因受热而内扩散或化学变化之一合 金以及一介电材料所制成。 6.如申请专利范围第3项所述之多层结构,其中该变 化层更包括一介电层,介于该基板与该合金介电层 之间。 7.如申请专利范围第3项所述之多层结构,其中该介 电材料系为硫化锌-二氧化矽(ZnS-SiO2)。 8.如申请专利范围第3项所述之多层结构,其中该合 金系为铽铁钴(TbFeCo)。 9.如申请专利范围第3项所述之多层结构,其中该合 金系为钕铁钴(NdFeCo)。 10.如申请专利范围第1项所述之多层结构,其中该 变化层包括一金属氧化层。 11.如申请专利范围第10项所述之多层结构,其中该 金属氧化层包含一过渡金属或一贵金属。 12.如申请专利范围第10项所述之多层结构,其中该 金属氧化层系由因受热而释放氧气使其容积改变 之一材质所组成。 13.如申请专利范围第10项所述之多层结构,其中该 变化层更包括一介电层,介于该基板与该金属氧化 层之间。 14.如申请专利范围第13项所述之多层结构,其中该 介电层之材质为硫化锌-二氧化矽。 15.如申请专利范围第13项所述之多层结构,其中该 金属氧化层之材质为氧化钨(WOx)。 16.如申请专利范围第13项所述之多层结构,其中该 金属氧化层之厚度约为80nm。 17.如申请专利范围第1项所述之多层结构,其中该 变化层包括: 一第一介电层形成于该基板上; 一合金层覆盖于该第一介电层上;以及 一第二介电层覆盖于该合金层上。 18.如申请专利范围第17项所述之多层结构,其中该 第一介电层系由硫化锌以及二氧化矽所组成。 19.如申请专利范围第17项所述之多层结构,其中该 第一介电层之厚度约50~250nm。 20.如申请专利范围第17项所述之多层结构,其中该 合金层之厚度约5~50nm。 21.如申请专利范围第17项所述之多层结构,其中该 合金层包含一稀土族金属及一过渡金属。 22.如申请专利范围第21项所述之多层结构,其中该 稀土族金属为铽(Tb)或钕(Nd),而该过渡金属为铁(Fe) 或钴(Co)。 23.如申请专利范围第17项所述之多层结构,其中该 合金层系由受热容积改变的合金材质所制成,且该 第一与第二介电层受到内扩散或化学变化而随之 改变。 24.如申请专利范围第23项所述之多层结构,其中该 合金层之材质系为铽铁钴。 25.如申请专利范围第23项所述之多层结构,其中该 合金层之材质系为钕铁钴。 26.如申请专利范围第17项所述之多层结构,其中该 第二介电层系由硫化锌以及二氧化矽所组成。 27.如申请专利范围第17项所述之多层结构,其中该 第二介电层之厚度约10~100nm。 28.如申请专利范围第1项所述之多层结构,其中该 变化层包括: 一第一介电层形成于该基板上; 一金属氧化层覆盖于该第一介电层上;以及 一第二介电层覆盖于该金属氧化层上。 29.如申请专利范围第28项所述之多层结构,其中该 金属氧化层包含一过渡金属或一贵金属。 30.如申请专利范围第29项所述之多层结构,其中该 金属氧化层之材质包括氧化铂(PtOx)、氧化银(AgOx) 、氧化钯(PdOx)以及氧化钨(WOx)其中之一。 31.如申请专利范围第28项所述之多层结构,其中该 金属氧化层系由因受热而释放氧气使其容积改变 之一材质所组成。 32.一种绘制一微观结构于一多层结构的方法,而该 多层结构包括一基板以及一变化层形成于该基板 上,其中该变化层一预定区域的容积受到一雷射光 束的照射而改变,一旦该预定区域的温度高于一预 设温度时,该方法包括: 以该雷射照射在该变化层的该预定区域,以及 以该雷射光束加热该变化层之该预定区域使其超 过该预设温度, 其中,该受热的区域之容积产生变化。 33.如申请专利范围第32项所述之绘制一微观结构 于一多层结构的方法,其中该变化层包括一金属氧 化层。 34.如申请专利范围第32项所述之绘制一微观结构 于一多层结构的方法,其中该变化层包括: 一第一介电层形成于该基板上; 一合金层覆盖于该第一介电层上;以及 一第二介电层覆盖于该合金层上。 35.如申请专利范围第32项所述之绘制一微观结构 于一多层结构的方法,其中该变化层包括: 一第一介电层形成于该基板上; 一金属氧化层覆盖于该第一介电层上;以及 一第二介电层覆盖于该金属氧化层上。 36.如申请专利范围第32项所述之绘制一微观结构 于一多层结构的方法,更包括蚀刻该变化层,以使 该预定区域与其他区域之间有一蚀刻差异。 37.一种制作光碟之母片,该母片包括: 一基板;以及 一变化层,形成于该基板上, 其中该变化层一部分的容积受到一雷射光束的照 射而改变,一旦该部分的温度高于一预设温度时。 38.如申请专利范围第37项所述之制作光碟之母片, 其中该变化层包括由一合金与一介电材质所组成 之一合金介电层。 39.如申请专利范围第38项所述之制作光碟之母片, 其中该合金包含一稀土族金属及一过渡金属。 40.如申请专利范围第38项所述之制作光碟之母片, 其中该合金介电层系由受热容积改变的一合金与 一介电材料所制成,且该介电材料受到内扩散或化 学变化而随之改变。 41.如申请专利范围第38项所述之制作光碟之母片, 其中该变化层更包括一介电层,介于该基板与该合 金介电层之间。 42.如申请专利范围第37项所述之制作光碟之母片, 其中该变化层包括一金属氧化层。 43.如申请专利范围第42项所述之制作光碟之母片, 其中该金属氧化层包含一过渡金属或一贵金属。 44.如申请专利范围第42项所述之制作光碟之母片, 其中该金属氧化层系由因受热而释放氧气使其容 积改变之一材质所组成。 45.如申请专利范围第42项所述之制作光碟之母片, 其中该变化层更包括一介电层,介于该基板与该金 属氧化层之间。 46.如申请专利范围第37项所述之制作光碟之母片, 其中该变化层包括: 一第一介电层形成于该基板上; 一合金层覆盖于该第一介电层上;以及 一第二介电层覆盖于该合金层上。 47.如申请专利范围第46项所述之制作光碟之母片, 其中该合金层包含一稀土族金属及一过渡金属。 48.如申请专利范围第46项所述之制作光碟之母片, 其中该合金层系由受热容积改变的合金材质所制 成,且该第一与第二介电层受到内扩散或化学变化 而随之改变。 49.如申请专利范围第37项所述之制作光碟之母片, 其中该变化层包括: 一第一介电层形成于该基板上; 一金属氧化层覆盖于该第一介电层上;以及 一第二介电层覆盖于该金属氧化层上。 50.如申请专利范围第49项所述之制作光碟之母片, 其中该金属氧化层包含一过渡金属或一贵金属。 51.如申请专利范围第49项所述之制作光碟之母片, 其中该金属氧化层系由因受热而释放氧气使其容 积改变之一材质所组成。 52.一种制作一母片的方法,该母片包括一基板以及 一变化层形成于该基板上,其中该变化层一预定区 域的容积受到一雷射光束的照射而改变,一旦该预 定区域的温度高于一预设温度时,该方法包括: 以该雷射照射在该变化层的该预定区域,以及 以该雷射光束加热该变化层之该预定区域使其超 过该预设温度, 其中,该受热的区域之容积产生变化。 53.如申请专利范围第52项所述之制作一母片的方 法,其中该变化层包括一金属氧化层。 54.如申请专利范围第52项所述之制作一母片的方 法,其中该变化层包括: 一第一介电层形成于该基板上; 一合金层覆盖于该第一介电层上;以及 一第二介电层覆盖于该合金层上。 55.如申请专利范围第52项所述之制作一母片的方 法,其中该变化层包括: 一第一介电层形成于该基板上; 一金属氧化层覆盖于该第一介电层上;以及 一第二介电层覆盖于该金属氧化层上。 56.如申请专利范围第52项所述之制作一母片的方 法,更包括蚀刻该变化层,以使该预定区域与其他 区域之间有一蚀刻差异。 57.一种电脑记录媒体,以执行绘制一微观结构于一 多层结构的方法,而该多层结构包括一基板以及一 变化层形成于该基板上,其中该变化层一预定区域 的容积受到一雷射光束的照射而改变,一旦该预定 区域的温度高于一预设温度时,该方法包括: 以该雷射照射在该变化层的该预定区域;以及 以该雷射光束加热该变化层之该预定区域使其超 过该预设温度, 其中该受热的区域之容积产生变化。 58.如申请专利范围第57项所述之电脑记录媒体,其 中该变化层包括: 一第一介电层形成于该基板上; 一合金层覆盖于该第一介电层上;以及 一第二介电层覆盖于该合金层上。 59.如申请专利范围第57项所述之电脑记录媒体,其 中该变化层包括: 一第一介电层形成于该基板上; 一金属氧化层覆盖于该第一介电层上;以及 一第二介电层覆盖于该金属氧化层上。 60.如申请专利范围第57项所述之电脑记录媒体,更 包括蚀刻该变化层,以使该预定区域与其他区域之 间有一蚀刻差异。 61.一种电脑记录媒体,以执行一母片制作的方法, 而该母片包括一基板以及一变化层形成于该基板 上,其中该变化层一预定区域的容积受到一雷射光 束的照射而改变,一旦该预定区域的温度高于一预 设温度时,该方法包括: 以该雷射照射在该变化层的该预定区域;以及 以该雷射光束加热该变化层之该预定区域使其超 过该预设温度, 其中该受热的区域之容积产生变化。 62.一种绘制一微观结构于一多层结构的方法,而该 多层结构包括一基板以及一变化层形成于该基板 上,其中该变化层一预定区域的容积受到一雷射光 束的照射而改变,一旦该预定区域的温度高于一预 设温度时,该方法包括: 以该雷射照射在该变化层的该预定区域;以及 以该雷射光束加热该变化层之该预定区域使其超 过该预设温度, 其中该受热区域之直径小于该雷射光束之直径,且 形成之一凹穴的直径亦小于该雷射光点之直径。 63.一种绘制一微观结构于一多层结构的方法,而该 多层结构包括一基板以及一变化层形成于该基板 上,其中该变化层一预定区域的容积受到一雷射光 束的照射而改变,一旦该预定区域的温度高于一预 设温度时,该方法包括: 以该雷射照射在该变化层的该预定区域;以及 以该雷射光束加热该变化层之该预定区域使其超 过该预设温度, 其中该多层结构上一凹穴图案之尺寸小于该雷射 光束之绕射限制。 64.如申请专利范围第17项所述之多层结构,其中该 第一介电层、该合金层以及该第二介电层组合成 一讯号结构。 65.如申请专利范围第10项所述之多层结构,其中该 金属氧化层直接形成于该基板上。 66.如申请专利范围第32项所述之绘制一微观结构 于一多层结构的方法,更包括: 射出一聚碳酸脂光碟基板于一射出封模装置内,并 依序覆盖一反射层以及一保护层于该射出封模装 置上。 67.如申请专利范围第32项所述之绘制一微观结构 于一多层结构的方法,其中微小凹穴之尺寸小于雷 射光束之绕射限制,且不会因温度上昇而造成一光 阻材料需要大量的光源或发生蒸发变形。 68.一种形成凹穴图案于一多层结构的方法,该多层 结构包括一基板以及一变化层形成于该基板上,该 方法包括: 以一雷射光束照射该变化层之一预定区域,以改变 该变化层之该预定区域的容积;以及 形成凹穴图案于该多层结构上,该凹穴图案之尺寸 小于该雷射光束之绕射限制。 69.如申请专利范围第68项所述之形成凹穴图案于 一多层结构的方法,其中该预定区域的容积以加热 该预定区域使其温度超过一预设温度而改变。 70.一种形成光碟之装置,该装置包括: 一打印机能印制一光碟基板,该打印机具有小于一 雷射光束之绕射限制所形成的一凹穴图案;以及 一覆盖器,用以覆盖一反射层以及一保护层于印制 之该光碟基板上。 图式简单说明: 图1绘示本发明第一实施例之一种多层结构的剖面 示意图。 图2A及2B绘示本发明一种多层结构之容积改变的图 解示意图。 图3A以及3B绘示图1之多层结构利用原子力显微镜( AFM)量测到120nm之凹穴图案的影像。 图4A~4E分别绘示图3A以及图3B所示之凹穴图案的剖 面形状、轨道、频谱以及其他数据的示意图。 图5A~5B绘示图1之多层结构利用原子力显微镜(AFM) 量测到100nm之凹穴图案。 图6A~6E分别绘示图5A以及图5B所示之凹穴图案的剖 面形状、轨道、频谱以及其他数据的示意图。 图7绘示凹穴尺寸与凹穴深度之间的关系图。 图8绘示本发明第二实施例之一种多层结构的剖面 示意图。 图9绘示本发明第三实施例之一种多层结构的剖面 示意图。 图10绘示图9之多层结构利用原子力显微镜(AFM)量 测到凹穴图案的影像。 图11A以及11B绘示本发明一实施例之光碟母片的制 作方法,以及利用母片打印之制作方法。 图12绘示本发明一实施例之一种复制光碟的流程 。 |
