| 主权项 |
1.一种转换元基板,包含: 一基板; 多数转换薄膜电路经由移除层形成在该基板上; 一测试电路,其形成在该基板上且检查该多数转换 薄膜电路的电路操作;和 一布线耦合各个该多数转换薄膜电路和该测试电 路。 2.如申请专利范围第1项的转换元基板,其中: 该多数转换薄膜电路以矩阵安排在基板上; 该测试电路沿着形成有多数转换薄膜电路的区域 外周缘安排;和 该布线安排成矩阵或栅格。 3.如申请专利范围第2项的转换元基板,其中该测试 电路个别的检查各个电路的电路操作。 4.如申请专利范围第2项的转换元基板,其中: 该测试电路包括第一驱动器,其驱动和多数资料线 构成矩阵的多数扫描线,和第二驱动器,其驱动多 数资料线。 5.如申请专利范围第2项的转换元基板,其中各个多 数转换薄膜电路包括一二极体,一电晶体,一电阻 器,一电容器,和一电感器至少之一。 6.如申请专利范围第1项的转换元基板,其中该布线 将多数转换薄膜电路互相分开。 7.如申请专利范围第1项的转换元基板,其中该布线 形成在至少一个转换薄膜电路上方。 8.一种半导体装置的制造方法,包含: 形成多数转换薄膜电路,该多数转换薄膜电路可被 移除和转换在一转换元基板上; 形成一测试电路,该测试电路检查在转换元基板上 的各个多数转换薄膜电路的电路操作; 在形成多数转换薄膜电路在转换元基板上后,藉由 以测试电路检查各个多数转换薄膜电路的电路操 作,以获得各个多数转换薄膜电路的测试资料;和 在获得该资料后,至少一转换薄膜电路转换成一基 板。 9.一种多数转换薄膜电路的检查方法,该多数转换 薄膜电路形成在一转换元基板上,该方法包含: 以一测试电路检查各个多数转换薄膜电路的操作, 该测试电路形成在转换元基板上且耦合多数转换 薄膜电路。 10.如申请专利范围第9项的检查方法,其中: 该多数转换薄膜电路以矩阵安排在该转换元基板 上;和 至少部份的测试电路沿该矩阵的至少一部份外周 缘安排。 11.如申请专利范围第10项的检查方法,其中: 该测试电路包括第一驱动器,其驱动在矩阵中的至 少一列上的至少一转换薄膜电路,和第二驱动器, 其驱动在矩阵中的至少一行上的至少一转换薄膜 电路;和 检查在由第一驱动器所选择至少一列和由第二驱 动器所选择至少一行的交叉处上的至少一转换薄 膜电路。 12.如申请专利范围第9项的检查方法,该检查进一 步包括: 从第一驱动器输出一选择讯号至一扫描线;和 供应一资料讯号至耦合该扫描线的一群转换薄膜 电路。 13.如申请专利范围第9项的检查方法,进一步包含 检查各个多数转换薄膜电路是否具有缺点。 14.一种转换元基板的制造方法,包含: 形成多数转换薄膜电路,其可被移除和转换在一基 板上; 形成一测试电路用以检查在转换元基板上的各个 多数转换薄膜电路的操作;和 形成一布线分开多数转换薄膜电路,以连接各个多 数转换薄膜电路和一测试电路。 15.如申请专利范围第14项的制造方法,其中: 该多数转换薄膜电路以矩阵安排;和 至少部份的测试电路沿形成有该多数转换薄膜电 路的区域的至少部份外周缘安排。 16.如申请专利范围第15项的制造方法,其中: 该测试电路包括第一驱动器,其驱动在矩阵中的至 少一列上的至少一转换薄膜电路,和第二驱动器, 其驱动在矩阵中的至少一行上的至少一转换薄膜 电路。 17.如申请专利范围第14项的制造方法,其中形成该 布线系形成该多数转换薄膜电路之一的至少一区 域。 图式简单说明: 图1为本发明的整体构造的方块图; 图2为用以移除和转换的技术例; 图3A和3B为用以移除和转换的技术,其中图3A为用以 驱动有机电致发光(EL)显示装置的EL元件的电路图, 和图3B为用以驱动液晶显示装置的液晶元件的电 路图; 图4为在第一实施例中,形成在一转换元基板上的 测试电路和转换薄膜电路的一例,该转换薄膜电路 受到转换; 图5为在第一实施例中,形成转换薄膜电路的区域; 图6为一暂态转换元基板; 图7为本发明的第二实施例; 图8为在第二实施例中,形成转换薄膜电路的区域; 图9为一暂态转换元基板;和 图10为习知用以转换转换薄膜电路在一转换元基 板上的方法例。 |
