| 主权项 |
1.一种光学记录媒体,其包含:至少一记录层及形成 在该至少一记录层的附近的一介电层,其中该介电 层包含一氧化物作为主要成分且被添加了氮。 2.如申请专利范围第1项所述之光学记录媒体,其中 该介电层包含一氧化物作为主要成分,其是由Ta2O5 及TiO2所组成的组群中选取的。 3.如申请专利范围第1项所述之光学记录媒体,其中 该至少一记录层被建构成资料可利用波长在380nm 至450nm之间的雷射光束记录到该至少一记录层上 。 4.如申请专利范围第2项所述之光学记录媒体,其中 该至少一记录层被建构成资料可利用波长在380nm 至450nm之间的雷射光束记录到该至少一记录层上 。 5.如申请专利范围第1项所述之光学记录媒体,其中 该至少一记录层是由一第一记录薄膜与一第二记 录薄膜所构成,其中该第一记录薄膜包含一选自于 由Si,Sn,Mg,C,Al,Zn,In,Cu,Ti及Bi等元素所组成的组群中 的元素作为主要成分,及该第二记录薄膜系被提供 在该第一记录薄膜附近且包含由Cu,Al,Zn及Ag等元素 所组成的组群中选出且不同于第一记录层中作为 主要成分的元素之元素。 6.如申请专利范围第2项所述之光学记录媒体,其中 该至少一记录层是由一第一记录薄膜与一第二记 录薄膜所构成,其中该第一记录薄膜包含一选自于 由Si,Sn,Mg,C,Al,Zn,In,Cu,Ti及Bi等元素所组成的组群中 的元素作为主要成分,及该第二记录薄膜系被提供 在该第一记录薄膜附近且包含由Cu,Al,Zn及Ag等元素 所组成的组群中选出且不同于第一记录层中作为 主要成分的元素之元素。 7.如申请专利范围第5项所述之光学记录媒体,其中 该第二记录薄膜被形成为与该第一记录薄膜相接 触。 8.如申请专利范围第6项所述之光学记录媒体,其中 该第二记录薄膜被形成为与该第一记录薄膜相接 触。 9.如申请专利范围第5项所述之光学记录媒体,其中 该第一记录薄膜包含一选自于由Si,Ge及Sn组成的组 群中的元素作为主要成份。 10.如申请专利范围第6项所述之光学记录媒体,其 中该第一记录薄膜包含一选自于由Si,Ge及Sn组成的 组群中的元素作为主要成份。 11.如申请专利范围第5项所述之光学记录媒体,其 中该第二记录薄膜包含Cu作为主要成份。 12.如申请专利范围第6项所述之光学记录媒体,其 中该第二记录薄膜包含Cu作为主要成份。 13.如申请专利范围第5项所述之光学记录媒体,其 中该第二记录薄膜被添加一元素,其系选自于由Cu, Al,Zn,Ag,Mg,Sn,Au,Ti及Pd所组成的组群中且不同于包含 在该第一记录媒体中作为主要成分的元素。 14.如申请专利范围第6项所述之光学记录媒体,其 中该第二记录薄膜被添加一元素,其系选自于由Cu, Al,Zn,Ag,Mg,Sn,Au,Ti及Pd所组成的组群中且不同于包含 在该第一记录媒体中作为主要成分的元素。 15.如申请专利范围第1项所述之光学记录媒体,其 包含两层或更多层彼此间隔开的记录层及多层介 电层,每一介电层形成在一记录层附近,其中至少 形成在最靠近一光入射平面的记录层附近的该介 电层是包含一氧化物作为一主要成分及氮作为一 添加物。 16.如申请专利范围第15项所述之光学记录媒体,其 中该介电层包含一氧化物作为主要成分,其是由Ta2 O5及TiO2所组成的组群中选取的。 17.如申请专利范围第15项所述之光学记录媒体,其 中每一记录层都包括一第一记录薄膜与一第二记 录薄膜,其中该第一记录薄膜包含一选自于由Si,Sn, Mg,C,Al,Zn,In,Cu,Ti及Bi等元素所组成的组群中的元素 作为主要成分,及该第二记录薄膜系被提供在该第 一记录薄膜附近且包含由Cu,A1,Zn及Ag等元素所组成 的组群中选出且不同于第一记录层中作为主要成 分的元素之元素。 18.如申请专利范围第16项所述之光学记录媒体,其 中每一记录层都包括一第一记录薄膜与一第二记 录薄膜其中该第一记录薄膜包含一选自于由Si,Sn, Mg,C,Al,Zn,In,Cu,Ti及Bi等元素所组成的组群中的元素 作为主要成分,及该第二记录薄膜系被提供在该第 一记录薄膜附近且包含由Cu,Al,Zn及Ag等元素所组成 的组群中选出且不同于第一记录层中作为主要成 分的元素之元素。 19.一种制造一光学记录媒体的方法,该光学记录媒 体包含至少一记录层及一形成在该至少一记录层 的附近之介电层,该制造一光学记录媒体的方法包 含藉由在一包含氮气的混合气体氛围中气相生长 一氧化物来形成该介电层的步骤。 20.如申请专利范围第19项所述之制造一光学记录 媒体的方法,其包含藉由溅镀处理来形成该介电层 的步骤,用以包含一作为主要成分的氧化物及作为 添加物的氮。 图式简单说明: 第1图为一示意立体图,其显示一依据本发明的一 较佳实施例之光学记录媒体。 第2图为第1图中之光学记录媒体的被标记为A部分 之放大的示意剖面图。 第3图为一放大的示意剖面图,其显示第2图的光学 记录媒体在记录资料之后的情形。 第4图为本发明的另一实施例之光学记录媒体的层 结构的一放大的示意剖面图。 第5图为本发明的另一实施例之光学记录媒体的层 结构的一放大的示意剖面图。 第6图为一放大的示意剖面图,其显示第5图的光学 记录媒体在一L1层被雷射照射之后的情形。 第7图为一图表,其显示在工作实例1中,添加至一介 电层中的氮数量与该介电层的折射率n之间的关系 。 第8图为一图表,其显示在工作实例1中,添加至一介 电层中的氮数量与该介电层的消光系数k之间的关 系。 第9图为一图表,其显示在工作实例1中,一雷射光束 的波长与该介电层的折射率n之间的关系。 第10图为一图表,其显示在工作实例1中,一雷射光 束的波长与该介电层的消光系数k之间的关系。 第11图为一图表,其显示在工作实例2中,添加至一 介电层中的氮数量与该介电层的折射率n之间的关 系。 第12图为一图表,其显示在工作实例2中,添加至一 介电层中的氮数量与该介电层的消光系数k之间的 关系。 第13图为一图表,其显示在工作实例2中,一雷射光 束的波长与该介电层的折射率n之间的关系。 第14图为一图表,其显示在工作实例2中,一雷射光 束的波长与该介电层的消光系数k之间的关系。 |
