| 主权项 |
1.一种针对一流体(Fluid)之微喷射装置(Microinjection apparauts),该微喷射装置包含: 一基材(Substrate); 一歧管(Manifold),该歧管系形成于该基材上,用以贮 存该流体,并且供应该流体至至少一流体腔(Fluid chamber)以及至少一虚设腔(Dummy chamber)处; 该至少一流体腔(Fluid chamber),该至少一流体腔系形 成于该基材上并且与该歧管连通,该至少一流体腔 具有至少一喷孔(Orifice)并且于该喷孔邻近处安置 一气泡产生元件(Bubble generating device),用以当该个 流体腔充填该流体时于该个流体腔内产生一气泡( Buble)以喷出该流体; 该至少一虚设腔(Dummy chamber),该至少一虚设腔系形 成于该基材上并且与该歧管连通; 一侦测元件(Detecting device);以及 至少一对平行导电板(Parallel conductive plates),该至 少一对平行导电板系形成于该至少一虚设腔中之 一对相对内壁(Inner walls)上,并且电连接至该侦测 元件,用以当该虚设腔填充该流体时根据该流体之 一流体性质侦测该对平行导电板间之一电气性质, 进而决定该对相对内壁之间之一距离。 2.如申请专利范围第1项所述之微喷射装置,其中该 流体之流体性质系该流体之一介电常数(Dielectric constant)或导电系数(Conductivity coefficient)。 3.如申请专利范围第1项所述之微喷射装置,其中该 电气性质系选自由一电容(Capacitnce)、一阻抗( Impendance)以及一电压差(Voltage)所组成之一群组中 之一电气性质。 4.如申请专利范围第1项所述之微喷射装置,其中该 至少一虚设腔中之该对相对内壁其上设置至少两 对平行导电板,关于该至少两对平行导电板之电气 性质系由该侦测元件侦测并且被进一步处理,进而 判断关于该个虚设腔之一流体填充状况(Fluid-filled condition)。 5.如申请专利范围第1项所述之微喷射装置,其中该 流体系一墨水(Ink)。 6.一种制造针对一流体(Fluid)之微喷射装置( Microinjection apparauts)的方法,该方法包含下列步骤: (a)制备一基材(Substrate); (b)沉积一第一高分子材料于该基材上; (c)曝光并且显影该高分子材料以形成至少一虚设 腔; (d)沉积一金属材料于该至少一虚设腔之底部以及 一对相对内壁; (e)蚀刻该金属材料以形成至少一对平行导电板于 该至少一虚设腔中之该对相对内壁,该至少一对平 行导电板系电连接至一侦测元件,用以当该虚设腔 填充该流体时根据该流体之一流体性质侦测该对 平行导电板间之一电气性质,进而决定该对相对内 壁之间之该距离;以及 (f)覆盖一第二高分子材料片于该至少一虚设腔上 方以形成该至少一虚设腔之一顶部份,进而形成该 微喷射装置。 7.一种制造针对一流体(Fluid)之微喷射装置( Microinjection apparauts)的方法,该方法包含下列步骤: (a)制备一基材(Substrate); (b)沉积一第一高分子材料于该基材上; (c)曝光并且显影该第一高分子材料以形成至少一 虚设腔; (d)沉积一第一金属材料于该至少一虚设腔之底部 以及一对相对内壁; (e)蚀刻该第一金属材料以形成至少一第一导电板 于该至少一虚设腔之底部; (f)沉积并且蚀刻一第二金属材料于一第二高分子 材料片之一表面,以形成至少一第二导电板于该第 二高分子材料片之该表面上;以及 (g)覆盖该第二高分子材料片于该至少一虚设腔上 方以形成该虚设腔之一顶部份,进而形成该微喷射 装置,其中该第二高分子材料片之具有该至少一第 二导电板的表面系面对该虚设腔,致使该顶部份之 该至少一第二导电板对应于该虚设腔底部之该至 少一第一导电板,形成至少一对平行导电板,并且 该至少一对平行导电板系电连接至一侦测元件,用 以当该虚设腔填充该流体时根据该流体之一流体 性质侦测该对平行导电板间之一电气性质,进而决 定该对相对内壁之间之该距离。 8.一种制造针对一流体(Fluid)之微喷射装置( Microinjection apparauts)的方法,该方法包含下列步骤: (a)制备一基材(Substrate); (b)沉积一第一高分子材料于该基材上; (c)曝光并且显影该第一高分子材料以形成至少一 虚设腔; (d)沉积一第一金属材料于该至少一虚设腔之底部 以及一对相对内壁; (e)蚀刻该第一金属材料以形成至少一对第一平行 导电板于该至少一虚设腔中之该对相对内壁,以及 至少一第二导电板于该至少一虚设腔之底部; (f)沉积并且蚀刻一第二金属材料于一第二高分子 材料片之一表面,以形成至少一第三导电板于该第 二高分子材料片之该表面上;以及 (g)覆盖该第二高分子材料片于该至少一虚设腔上 方以形成该虚设腔之一顶部份,进而形成该微喷射 装置,其中该第二高分子材料片之具有该至少一第 三导电板的表面系面对该虚设腔,致使该顶部份之 该至少一第三导电板对应于该虚设腔底部之该至 少一第二导电板,形成至少一对第二平行导电板; 其中该至少一对第一平行导电板以及该至少一对 第二平行导电板系电连接至一侦测元件,用以当该 虚设腔填充该流体时根据该流体之一流体性质侦 测该对平行导电板间之一电气性质,进而决定该对 相对内壁之间之该距离。 9.如申请专利范围第6、第7或第8项所述之方法,其 中该流体之流体性质系该流体之一介电常数( Dielectric constant)或导电系数(Conductivity coefficient)。 10.如申请专利范围第6、第7或第8项所述之方法,其 中该电气性质系选自由一电容(Capacitnce)、一阻抗( Impendance)以及一电压差(Voltage)所组成之一群组中 之一电气性质。 11.如申请专利范围第6、第7或第8项所述之方法,其 中该至少一虚设腔中之一个虚设腔之一对相对内 壁其上设置至少两对平行导电板,关于该至少两对 平行导电板之电气性质系由该侦测元件侦测并且 被进一步处理,进而判断关于该个虚设腔之一流体 填充状况(Fluid-filled condition)。 12.如申请专利范围第6、第7或第8项所述之方法,其 中该流体系一墨水(Ink)。 13.一种喷墨列印系统(Ink-jet printing system),包含: 至少一墨水匣(Ink cartridge),该至少一墨水匣中之每 一个墨水匣系配置一个别的喷墨晶片(Ink-jet chip), 该至少一喷墨晶片中之每一个喷墨晶片包含: 一基材(Substrate); 一歧管(Manifold),该歧管系形成于该基材上,用以贮 存一墨水(Ink),并且供应该墨水至至少一虚设腔( Dummy chamber)处;以及 该至少一虚设腔(Dummy chamber),该至少一虚设腔系形 成于该基材上并且与该歧管连通,该至少一虚设腔 之一对相对内壁其上设置至少一对平行导电板( Parallel conductive plates); 一侦测元件(Detecting device),该侦测元件系电连接至 每一对平行导电板,用以当该对应的虚设腔填充该 墨水时根据该墨水之一流体性质侦测该对平行导 电板间之一电气性质;以及 一处理元件(Processing device),该处理元件系电连接 该侦测元件,用以针对该至少一墨水匣中之每一个 墨水匣根据该对应侦测的电气性质判断关于该个 墨水匣之一墨水填充状况(Ink-filled condition)。 14.如申请专利范围第13项所述之喷墨列印系统,其 中该墨水之流体性质系该墨水之一介电常数( Dielectric constant)或导电系数(Conductivity coefficient)。 15.如申请专利范围第13项所述之喷墨列印系统,其 中于每一对平行导电板间侦测到的电气性质系选 自由一电容(Capacitnce)、一阻抗(Impendance)以及一电 压差(Voltage)所组成之一群组中之一电气性质。 图式简单说明: 图一系根据本发明之一较佳具体实施例的一种针 对一流体2之微喷射装置1的平面示意图。 图二系根据本发明之操作原理的示意图。 图三A以及图三B系根据本发明之一具体实施例的 一虚设腔18中之一流体2容量侦测示意图。 图四A至图四F系根据本发明之一较佳具体实施例 的制造针对一流体之微喷射装置的方法示意图。 图五A至图五G系根据本发明之另一较佳具体实施 例的制造针对一流体之微喷射装置的方法示意图 。 图六A至图六G系根据本发明之再一较佳具体实施 例的制造针对一流体之微喷射装置的方法示意图 。 图七系绘示根据本发明之一具体实施例的微喷射 装置虚设腔配置示意图。 |
