| 主权项 |
1.一种化合物半导体粒子之制造方法,其特征为: 将含金属羧酸盐、醇及化合物半导体所成粒子之 混合物,或含具金属烷氧基之化合物,具羧基之化 合物及化合物半导体所成粒子之混合物藉加热及/ 或磨碎,以金属氧化物被覆上述粒子之表面。 2.如申请专利范围第1项之化合物半导体粒子之制 造方法,其中上述化合物半导体所成之粒子,系将 化合物半导体粗粒予以磨碎加以细粒化而得之粒 子。 3.一种化合物半导体粒子之制造方法,其特征为:包 含:将化合物半导体粗粒磨碎所得粒径不及1微米 之粒子的过程,以及以金属氧化物被覆所得粒子表 面之过程。 4.一种化合物半导体粒子,其特征为具备:以选自C 、Si、Ge、Sn、Pb、N、P、As、S、Sb、Se及Te所成群之 至少一种元素,及与该元素X非同一之至少一种金 属元素M为必要元素组合而成之化合物半导体所成 本体粒子;其粒径不及1微米,其表面被覆以结合有 醯氧基之金属氧化物。 5.如申请专利范围第4项之化合物半导体粒子,其中 上述本体粒子系,以选自C、Si、Ge、Sn、Pb、N、P、 As、Sb、S、Se及Te所成群之至少一种元素X,及与该 元素X非同一之至少一种金属元素M为必要元素组 合而成之化合物半导体粗粒经磨碎而得。 图式简单说明: 第1图系实施例1得之粒径约19奈米的CdSe微粒之TEM 电子显微镜照片。 第2图系实施例2得之粒径约19奈米或10奈米以下之 CdSe微粒的TEM电子显微镜照片。 第3图系实施例7得之CdSe微粒的TEM电子显微镜照片 。 第4图系实施例7得之CdSe微粒以能量分散型X线分析 法作元素分析之结果。(a)系Zn元素之分布,(b)系Zn 元素及Cd元素之分布。 |
