| 主权项 |
1.一种记忆体模组整合结构,包括: 至少一全缓冲双线记忆体模组,具有一第一板体、 至少一记忆体颗粒、一进阶记忆缓冲晶片以及一 导热片,其中,该记忆体颗粒系设置于该第一板体 之上,该进阶记忆缓冲晶片亦附着于该第一板体之 上,以及该导热片系附着于该进阶记忆缓冲晶片; 以及 一散热装置,设置于该全缓冲双线记忆体模组之上 ,并且系连接于该导热片,其中,该进阶记忆缓冲晶 片运作所产生之热量系经由该导热片传导至该散 热装置,并且系经由该散热装置传导至外界。 2.如申请专利范围第1项所述之记忆体模组整合结 构,其中,该导热片系平行于该第一板体,该散热装 置具有一第二板体以及至少一夹接部,该第二板体 系设置于该第一板体之上,并且系垂直于该第一板 体,以及该夹接部系从该第二板体延伸至该导热片 ,并且夹接该导热片。 3.如申请专利范围第2项所述之记忆体模组整合结 构,其中,该夹接部包括二平行之夹片,该导热片系 位于该等夹片之间。 4.如申请专利范围第3项所述之记忆体模组整合结 构,其中,在该导热片与每一夹片之间涂覆有散热 膏。 5.如申请专利范围第3项所述之记忆体模组整合结 构,其中,在该导热片与每一夹片之间系设置有一 导热垫。 6.如申请专利范围第1项所述之记忆体模组整合结 构,其中,该散热装置系由金属所制成。 7.如申请专利范围第1项所述之记忆体模组整合结 构,其中,该散热装置系由铜所制成。 8.如申请专利范围第1项所述之记忆体模组整合结 构,其中,该散热装置系由铝所制成。 图式简单说明: 第1图系显示习知之全缓冲双线记忆体模组之应用 示意图; 第2图系显示本发明之记忆体模组整合结构之立体 示意图; 第3图系显示本发明之记忆体模组整合结构之前视 分解示意图;以及 第4图系显示本发明之记忆体模组整合结构之部份 前视示意图。 |
