| 主权项 |
1.一种蚀刻金属堆叠中之铝金属层前、先蚀刻一 含钛金属层之方法,系包括: 在一蚀刻舱中设置一晶圆,该晶圆又包括一铝金属 层,在该铝金属层上又沉积一含钛无机反反光射层 及一光阻光罩层; 于该蚀刻舱中之一电浆环境中,将一含氟气体导入 至该蚀刻舱中,并同时依据该光阻光罩层之一图形 蚀刻该含钛无机反反光射层;其中之含氟气体系为 NF3与SF6中之一种;以及 于该蚀刻舱中之一电浆环境中,将至少一含氯气体 导入至该蚀刻舱中,并同时依据该光阻光罩层之该 图形蚀刻该铝金属层。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中所述之该 含钛无机反反光射层系又包括一钛金属层及一氮 化钛层。 3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中所述之该 含氯气体系包括C12与BC13,且于蚀刻该含钛无机反 反光射层时,亦将该C12与BC13导入至该蚀刻舱中。 4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中所述之该 含氟气体于蚀刻该含钛无机反反光射层时之一总 气体流量之一体积百分比为10%到40%之该总气体流 量。 5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中所述之该 含氟气体于蚀刻该含钛无机反反光射层时之一总 气体流量之一体积百分比为10%到40%之该总气体流 量。 6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中所述该光 阻光罩层与该含钛无机反反光射层之间又包括一 有机底反反光射层;且该方法于蚀刻该含钛无机反 反光射层前,又包括一依据该光阻光罩层中之一图 形、在该蚀刻舱之一电浆环境中、蚀刻该有机底 反反光射层之步骤。 7.一种晶圆上金属堆叠之蚀刻方法,系包括: 在一电浆蚀刻舱中设置一晶圆,于该晶圆之一铝金 属层上又包括一含钛金属层、及一形成于该含钛 金属层上之光阻光罩层; 于该蚀刻舱中之一电浆环境中,将至少一含氟气体 及至少含氯气体导入至该蚀刻舱中,并同时依据该 光阻光罩层蚀刻该含钛金属层;其中之含氟气体系 为NF3与SF6中之一种;以及 于该蚀刻舱中之一电浆环境中,将至少一含氯气体 导入至该蚀刻舱中,并同时依据该光阻光罩层蚀刻 该铝金属层。 8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中所述之该 含氯气体系包括C12与BC13。 9.如申请专利范围第8项所述之方法,其所述于蚀刻 该含钛金属层时,该含氟气体对于该含氯气体之一 流量比系为一总气体流量之10%到40%。 图式简单说明: 第一图系为、在一半导体晶圆底材上、一光阻遮 罩覆盖在一含铝金属堆叠上之截面侧视图;以及 第二图系为第一图经过蚀刻与移除残存光阻遮罩 后之截面侧视图。 |
