| 主权项 |
1.一记忆体电压供应电路,具有一电源供应器、一 PWM控制器、一开关MOS管及一同步MOS管,其中电源供 应器将启动电压提供给PWM控制器和开关MOS管,PWM控 制器发出两个脉冲信号分别给开关MOS管和同步MOS 管,由开关MOS管和同步MOS管共同调节得到记忆体工 作电压输出给记忆体,其特征在于:该记忆体电压 供应电路还包括一控制MOS管及一比较器,该控制MOS 管接在电源供应器与开关MOS管之间,该工作电压输 入比较器与参考电压进行比较,根据比较结果控制 该控制MOS管的导通和截止。 2.如申请专利范围第1项所述之记忆体电压供应电 路,其中该记忆体工作电压同时反馈给PWM控制器, PWM控制器根据反馈回来的电压调节所发出脉冲信 号之占空比。 3.如申请专利范围第1项所述之记忆体电压供应电 路,其中该开关MOS管的源极与同步MOS管的漏极接在 一起。 4.如申请专利范围第3项所述之记忆体电压供应电 路,其中该开关MOS管和同步MOS管共接处串联一电感 L1和一电阻R1,该电阻R1两端并联一电容C1,通过电感 L1和电容C1对开关MOS管和同步MOS管共同调节得到的 信号进行整流滤波。 5.如申请专利范围第1项所述之记忆体电压供应电 路,其中该记忆体电压供应电路还具有一分压电路 ,该分压电路由一电阻R2和一电阻R3串联组成,分压 所得的电压作为参考电压输入该比较器的同相输 入端。 6.如申请专利范围第1项所述之记忆体电压供应电 路,其中该控制MOS管的漏极与开关MOS管的漏极接在 一起,该控制管的闸极与比较器的输出端接在一起 。 7.如申请专利范围第1项所述之记忆体电压供应电 路,其中该开关MOS管和同步MOS管共同调节得到的电 压输入该比较器的反相输入端,与输入同相输入端 参考电压进行比较。 8.如申请专利范围第1项所述之记忆体电压供应电 路,其中该比较器正向电源端与电源供应器之间增 加一电阻R4和一电容C2,对输入比较器正向电源端 电压进行滤波和限流。 9.一记忆体电压供应电路,具有一电源供应器、一 PWM控制器、一开关MOS管及一同步MOS管,其中电源供 应器将启动电压提供给PWM控制器和开关MOS管,PWM控 制器发出两个脉冲信号分别给开关MOS管和同步MOS 管,由开关MOS管和同步MOS管共同调节得到记忆体工 作电压输出给记忆体,其特征在于:该记忆体电压 供应电路还具有一保护电路,该保护电路连接在电 源供应器与开关MOS管之间。 10.如申请专利范围第9所述之记忆体电压供应电路 ,其中该保护电路包括一控制MOS管及一比较器,该 控制MOS管接在电源供应器与开关MOS管之间,该工作 电压输入比较器与参考电压进行比较,根据比较结 果控制该控制MOS管的导通和截止。 11.如申请专利范围第9项所述之记忆体电压供应电 路,其中该开关MOS管的源极与同步MOS管的漏极接在 一起。 12.如申请专利范围第9项所述之记忆体电压供应电 路,其中该保护电路还具有一分压电路,该分压电 路由一电阻R2和一电阻R3串联组成,分压所得的电 压作为参考电压输入该比较器的同相输入端。 13.如申请专利范围第9项所述之记忆体电压供应电 路,其中该控制MOS管之漏极与开关MOS管之漏极接在 一起,该控制管之闸极与比较器之输出端接在一起 。 14.如申请专利范围第9项所述之记忆体电压供应电 路,其中该开关MOS管和同步MOS管共同调节得到之电 压输入该比较器反相输入端,与输入同相输入端之 参考电压比较。 图式简单说明: 第一图系习知技术之记忆体电压供应电路之系统 方框图。 第二图系习知技术之记忆体电压供应电路之整体 电路图。 第三图系本发明之记忆体电压供应电路之系统方 框图。 第四图系本发明之记忆体电压供应电路之整体电 路图。 |
