| 主权项 |
1.一种沿晶圆之二层间所定义之一脆化表面劈开 该晶圆之该二层之程序,此程序包含实施一热退火 以达成劈开包含该些层的晶圆的目的,其特征在于 在该退火过程中,该晶圆大体上系排列于水平方向 上,且放置在介于两加热电极(32)间之一室(31)内。 2.如申请专利范围第1项之程序,其特征为提供装置 (40)以在一水平位置取放该等材料层。 3.如申请专利范围第2项之程序,其特征为该取放系 各自针对每一片晶圆施行。 4.如申请专利范围第1或2项之程序,其特征为该取 放系各自针对每一层施行。 5.如申请专利范围第1或2项之程序,其特征为同时 将复数片晶圆退火且每片晶圆被置于两加热电极 之间。 6.如申请专利范围第1或2项之程序,其用以劈开由 一脆化表面所界定之二层材料,该脆化表面已藉由 一SMARTCUT形式之制程所制造。 7.如申请专利范围第6项之程序,其特征为该二材料 层之包含一矽层。 8.如申请专利范围第1或2项之程序,其特征为该二 材料层系为二矽层,该二层其中之一层相当于一SOI 结构的表面层,另一层则相当于一矽残留物。 9.一种用以劈开一晶圆的退火装置,其包含一至少 可容纳一片晶圆的炉(30),其特征在于每片晶圆被 以水平位置容置于一室内,该室系由置于该晶圆每 一侧的两加热电极所界定,结果为当该晶圆位于水 平位置时实施该劈开退火。 10.如申请专利范围第9项之退火装置,其特征为该 退火装置亦包含装置(40)以在水平位置取放晶圆及 /或构成该等晶圆的诸层。 图式简单说明: 图1绘示于SOI表面的情况下,一雾度与粗度间的关 系; 图2系显示一处于开放位置之传统退火炉; 图3绘示使用图2之传统炉退火分离后之一SOI晶圆 的表面粗度; 图4为一实施本发明劈开退火的设备的图示; 图5a及5b分别表示使用传统炉与本发明之炉的两SOI 结构表面上的雾度的空间分布。 |
