| 主权项 |
1.一种光学延迟膜,包括一层各向异性聚合物材料, 其具有一光轴实质上平行于层的平面,其中该光轴 与该各向异性聚合物材料层的平面之间的倾斜角 系0至1度,该光学延迟膜系可藉一种包括以下步骤 的方法所获得: A)涂覆一种可聚合性能产生内消旋的组成物,此组 成物实质上由以下组份所构成: a)10至50重量%的一或二种式Ia的可聚合性能产生内 消旋之化合物,及5至35重量%的一或二种式Ib的可聚 合性能产生内消旋之化合物 其中 W系H或CH3, n系3至6之整数,及 R系具有1至8个碳原子的烷基或烷氧基, b)15至60重量%的可聚合性能产生内消旋之式II化合 物 其中 W系H或CH3, n系3至6之整数,及 Z1系-COO-,Z2系-OCO-, X1系H,及X2系CH3,及 c) 0.1至8重量%的光引发剂, 该混合物可视需要以最高50重量%的浓度溶于有机 溶剂中,为层形式于基片上, B)使可聚合性能产生内消旋的组成物排列成均一 的定向, C)使暴露于UV光中而聚合可聚合性能产生内消旋的 组成物,及 D)视需要可由聚合后的材料移除基片, 其特征在于 I)于该方法的步骤A)之前或期间将50至2500ppm的非离 子氟烷基-烷氧化物界面活性剂[选自于下式 CnF2n+1SO2N(C2H5)(CH2CH2O)xCH3 III CnF2n+1(CH2CH2O)xH IV 其中n系4至12之整数且x系5至15之整数]的混合物加 到可聚合性内消旋组成物中,及 II)以PET或TAC膜当作基片,在该方法的步骤A)中于该 基片上涂覆该可聚合性能产生内消旋的组成物,及 III)在该方法的步骤A)之前,使毗邻于该可聚合性能 产生内消旋的组成物之该PET或TAC膜经单向地摩擦 或经一单向摩擦的聚醯亚胺层所覆盖。 2.如申请专利范围第1项之光学延迟膜,其中,该非 离子氟烷基-烷氧化物界面活性剂的混合物系包括 100至1200ppm的至少两种式III化合物。 3.如申请专利范围第1项之光学延迟膜,其中,该非 离子氟烷基-烷氧化物界面活性剂的混合物系包括 800至1800ppm的至少两种式IV化合物。 4.如申请专利范围第1项之光学延迟膜,其中,可聚 合性能产生内消旋的组成物另含有5至50重量%的一 或多种式V化合物 其中W、n和R系具有式I中所给之定义。 5.如申请专利范围第1项之光学延迟膜,其中,式Ia、 Ib、II和V中,W系H。 6.如申请专利范围第1项之光学延迟膜,其中,该方 法之步骤A)中,使用PET膜当作基片,其中该PET膜之表 面(毗邻于可聚合性能产生内消旋的组成物)在步 骤A)之前系经单向摩擦的。 7.一种制备光学延迟膜的方法,其包括下列步骤: A)涂覆一种可聚合性能产生内消旋的组成物,此组 成物实质上由以下组份所构成: a)10至50重量%的一或二种式Ia的可聚合性能产生内 消旋之化合物,及5至35重量%的一或二种式Ib的可聚 合性能产生内消旋之化合物 其中 W系H或CH3, n系3至6之整数,及 R系具有1至8个碳原子的烷基或烷氧基, b)15至60重量%的可聚合性能产生内消旋之式II化合 物 其中 W系H或CH3, n系3至6之整数,及 Z1系-COO-, Z2系-OCO-, X1系H,及 X2系CH3,及 c)0.1至8重量%的光引发剂, 该混合物可视需要以最高50重量%的浓度溶于有机 溶剂中,为层形式于基片上, B)使可聚合性能产生内消旋的组成物排列成均一 的定向, C)使暴露于UV光中而聚合可聚合性能产生内消旋的 组成物,及 D)视需要可由聚合后的材料移除基片, 其特征在于 I)于该方法的步骤A)之前或期间将50至2500ppm的非离 子氟烷基-烷氧化物界面活性剂[选自于下式 CnF2n+1SO2N(C2H5)(CH2CH2O)xCH3 III CnF2n+1(CH2CH2O)xH IV 其中n系4至12之整数且x系5至15之整数]的混合物加 到可聚合性内消旋组成物中,及 II)以PET或TAC膜当作基片,在该方法的步骤A)中于该 基片上涂覆该可聚合性能产生内消旋的组成物,及 III)在该方法的步骤A)之前,使毗邻于该可聚合性能 产生内消旋的组成物之该PET或TAC膜经单向地摩擦 或经一单向摩擦的聚醯亚胺层所覆盖。 8.如申请专利范围第1项之光学延迟膜,其系用于液 晶显示器中。 9.如申请专利范围第1项之光学延迟膜,其系用于液 晶显示装置中。 |
