发明名称 用于芳族化合物氢化之触媒及方法
摘要 本发明系关于芳族化合物之氢化,特别是经由对应的芳族多羧酸或其酯之环氢化以制备脂环族多羧酸或其酯,及适合用于此目的之触媒。
申请公布号 TWI273101 申请公布日期 2007.02.11
申请号 TW092115484 申请日期 2003.06.09
申请人 奥塞诺石蜡化学有限公司 发明人 米契尔葛拉;柯特欧弗瑞高斯肯;法兰克布鲁克辛;欧弗瑞德盖兹;戴崔克马斯考梅尔;威弗瑞得波士肯;亚塞尔塔克蓝斯基
分类号 C07C67/303(2006.01);C07C69/75(2006.01) 主分类号 C07C67/303(2006.01)
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼;何秋远 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项 1.一种用于将芳族化合物氢化以产生对应之脂环 族化合物之触媒,其系于撑体材料上或之中,包括 至少一种选自以下构成之族群之周期表第八过渡 族金属:Rh、Pt、Pd、Ru、Ni或Co或者二或以上金属之 混合物,其中撑体材料具有25至50奈米之平均孔径 及大于30平方米/克之比表面积,超过90%之撑体材料 之全部孔体积系由具0.1至50奈米直径之中与小孔 组成,且其中撑体材料包括活性碳、碳化矽、氧化 铝、氧化矽、铝矽酸盐、二氧化钛、二氧化锆、 氧化镁、及/或氧化锌、或其混合物。 2.如申请专利范围第1项之触媒,其中触媒亦包括至 少一种元素周期表第一过渡族金属。 3.如申请专利范围第1项之触媒,其中触媒亦包括至 少一种元素周期表第七过渡族金属。 4.一种催化氢化芳族化合物之方法,其使用在触媒 上的含氢气体于3至300巴、50至250℃下进行,该触媒 系于撑体材料上或之中,包括至少一种选自以下构 成之族群之周期表第八过渡族金属:Rh、Pt、Pd、Ru 、Ni或Co或者二或以上金属之混合物,其包括使用 具有25至50奈米之平均孔径及大于30平方米/克之比 表面积之撑体材料,超过90%之撑体材料之全部孔体 积系由具0.1至50奈米直径之中与小孔组成,且撑体 材料包括活性碳、碳化矽、氧化铝、氧化矽、铝 矽酸盐、二氧化钛、二氧化锆、氧化镁、及/或氧 化锌、或其混合物;其中使用之芳族化合物包括苯 羧酸、联苯羧酸、羧酸、二氧化苯基羧酸、或 多羧酸、其酐、及/或对应之酯。 5.如申请专利范围第4项之方法,其中触媒亦包括至 少一种元素周期表第一过渡族金属。 6.如申请专利范围第4项之方法,其中触媒亦包括至 少一种元素周期表第七过渡族金属。 7.如申请专利范围第4项之方法,其中有机化合物之 酯中醇成分为具有1至25个碳原子之分枝或未分枝, 及在各情况为相同或不相同之烷氧基烷基、环烷 基、及/或烷基。
地址 德国