主权项 |
1.一种用于将芳族化合物氢化以产生对应之脂环 族化合物之触媒,其系于撑体材料上或之中,包括 至少一种选自以下构成之族群之周期表第八过渡 族金属:Rh、Pt、Pd、Ru、Ni或Co或者二或以上金属之 混合物,其中撑体材料具有25至50奈米之平均孔径 及大于30平方米/克之比表面积,超过90%之撑体材料 之全部孔体积系由具0.1至50奈米直径之中与小孔 组成,且其中撑体材料包括活性碳、碳化矽、氧化 铝、氧化矽、铝矽酸盐、二氧化钛、二氧化锆、 氧化镁、及/或氧化锌、或其混合物。 2.如申请专利范围第1项之触媒,其中触媒亦包括至 少一种元素周期表第一过渡族金属。 3.如申请专利范围第1项之触媒,其中触媒亦包括至 少一种元素周期表第七过渡族金属。 4.一种催化氢化芳族化合物之方法,其使用在触媒 上的含氢气体于3至300巴、50至250℃下进行,该触媒 系于撑体材料上或之中,包括至少一种选自以下构 成之族群之周期表第八过渡族金属:Rh、Pt、Pd、Ru 、Ni或Co或者二或以上金属之混合物,其包括使用 具有25至50奈米之平均孔径及大于30平方米/克之比 表面积之撑体材料,超过90%之撑体材料之全部孔体 积系由具0.1至50奈米直径之中与小孔组成,且撑体 材料包括活性碳、碳化矽、氧化铝、氧化矽、铝 矽酸盐、二氧化钛、二氧化锆、氧化镁、及/或氧 化锌、或其混合物;其中使用之芳族化合物包括苯 羧酸、联苯羧酸、羧酸、二氧化苯基羧酸、或 多羧酸、其酐、及/或对应之酯。 5.如申请专利范围第4项之方法,其中触媒亦包括至 少一种元素周期表第一过渡族金属。 6.如申请专利范围第4项之方法,其中触媒亦包括至 少一种元素周期表第七过渡族金属。 7.如申请专利范围第4项之方法,其中有机化合物之 酯中醇成分为具有1至25个碳原子之分枝或未分枝, 及在各情况为相同或不相同之烷氧基烷基、环烷 基、及/或烷基。 |