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发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Doppelheterostruktur-Bipolartransistors für hohe Betriebsspannungen
摘要
申请公布号 DE10357409(B4) 申请公布日期 2007.02.08
申请号 DE20031057409 申请日期 2003.12.04
申请人 FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. 发明人 WEYERS, MARKUS;MAASDORF, ANDRE;KURPAS, PAUL
分类号 H01L21/331;H01L29/73;H01L29/737 主分类号 H01L21/331
代理机构 代理人
主权项
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