发明名称 Integrierte Halbleiterschaltung, Halbleitersystem und Herstellungsverfahren
摘要 Die Erfindung bezieht sich auf eine integrierte Halbleiterschaltung mit einem Halbleitersubstrat (SUB), mehreren elektrischen Schaltungen (41) und Leistungskontaktstellen (VCC_P, GND_P) auf dem Halbleitersubstrat, einer Isolationsschicht (I1) auf dem Halbleitersubstrat, einer auf die Isolationsschicht gestapelten ersten leitfähigen Schicht (M1), die über einen ersten Durchkontakt (V1) mit einer ersten der Leistungskontaktstellen verbunden ist, und einer getrennt von der leitfähigen Schicht auf die Isolationsschicht gestapelten zweiten leitfähigen Schicht (M2), die über einen zweiten Durchkontakt (V2) mit einer zweiten der Leistungskontaktstellen (GND_P) verbunden ist, sowie auf ein zugehöriges Herstellungsverfahren und ein damit ausgerüstetes Halbleitersystem. DOLLAR A Erfindungsgemäß ist auf die erste und die zweite leitfähige Schicht eine Leistungsbereitstellungseinheit (P) gestapelt, die dafür eingerichtet ist, wenigstens einer der Leistungskontaktstellen Leistung bereitzustellen. DOLLAR A Verwendung z. B. für Notebooks und Mobiltelefone.
申请公布号 DE102006028962(A1) 申请公布日期 2007.02.08
申请号 DE20061028962 申请日期 2006.06.16
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD. 发明人 KIM, KYU-HYOUN;KIM, CHANG-HYUN
分类号 H01L27/02 主分类号 H01L27/02
代理机构 代理人
主权项
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