| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung einer verbesserten dielektrischen Schicht für eine integrierte Schaltung |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69535348(D1) |
申请公布日期 |
2007.02.08 |
| 申请号 |
DE1995635348 |
申请日期 |
1995.05.24 |
| 申请人 |
STMICROELECTRONICS INC. |
发明人 |
HODGES, ROBERT L.;BRYANT, FRANK R. |
| 分类号 |
H01L21/76;H01L21/762;H01L21/28;H01L21/314;H01L21/316;H01L21/318;H01L21/32;H01L21/768;H01L21/8247;H01L21/8248;H01L23/522;H01L29/51;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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