发明名称 Halbleiterspeicherbauelement
摘要 Source-/Drain-Bereiche sind in einem Substrat in der Nähe der Wortleitungen (2) angeordnet und jeweils durch Paare flacher Grabenisolationen (7) begrenzt. Elektrisch leitfähige lokale Zwischenverbindungen (6) sind über den Source-/Drain-Bereichen angeordnet, auf denen die Bitleitungen angeordnet sind. Jede der Zwischenverbindungen verbindet einen der Source-/Drain-Bereiche mit einer der Bitleitungen derart, dass die Source-/Drain-Bereiche, die zwischen denselben Grabenisolationen aufeinander folgen, in ihrer Abfolge alternierend an eine der beiden benachbarten Bitleitungen angeschlossen sind. Zu diesem Zweck sind die Grabenisolationen (7) vorzugsweise geeignet verbreitert.
申请公布号 DE102005037286(A1) 申请公布日期 2007.02.08
申请号 DE20051037286 申请日期 2005.08.08
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 KUND, MICHAEL;WILLER, JOSEF
分类号 H01L27/115;G11C16/02 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
主权项
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