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Halbleiterspeicher, der eine Vielzahl von Speicherzellen (21-1) aufweist, wobei der Halbleiterspeicher ein Substrat (1), mindestens eine Wortleitung (5-1), eine erste (15-1) und eine zweite Leitung (15-2; 16-1) aufweist, wobei jede der Vielzahl von Speicherzellen (21-1) einen ersten Dotierungsbereich (6), der in dem Substrat (1) angeordnet ist, einen zweiten Dotierungsbereich (7), der in dem Substrat (1) angeordnet ist, einen Kanalbereich (22), der in dem Substrat (1) zwischen dem ersten Dotierungsbereich (6) und dem zweiten Dotierungsbereich (7) angeordnet ist, einen ladungsträgerspeichernden Schichtstapel (2), der auf dem Substrat (1), auf dem Kanalbereich (22), auf einem Abschnitt des ersten Dotierungsbereiches (6) und auf einem Abschnitt des zweiten Dotierungsbereiches (7) angeordnet ist, aufweist. Jede Speicherzelle (21-1) weist ferner eine leitfähige Schicht (3) auf, die auf dem ladungsträgerspeichernden Schichtstapel (2) angeordnet ist, wobei die leitfähige Schicht (3) elektrisch schwebend ist. Eine dielektrische Schicht (3) ist auf der oberen Oberfläche der leitfähigen Schicht (3) und an den Seitenwänden (23) der leitfähigen Schicht (3) angeordnet. Die erste Leitung (15-1) erstreckt sich entlang einer ersten Richtung und ist mit dem ersten Dotierungsbereich (6) verbunden, und die zweite Leitung (15-2; 16-1) erstreckt sich entlang einer zweiten Richtung und ist mit dem zweiten Dotierungsbereich (7) verbunden. Die mindestens eine Wortleitung (5-1) erstreckt sich ...
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