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发明名称
CHRGE TRAP TYPE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING THREE-LEVEL MEMORY CELLS AND OPERATING METHOD THEREFOR
摘要
申请公布号
KR20070016828(A)
申请公布日期
2007.02.08
申请号
KR20050071844
申请日期
2005.08.05
申请人
发明人
分类号
G11C16/06;G11C16/04
主分类号
G11C16/06
代理机构
代理人
主权项
地址
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