| 发明名称 |
Gallium nitride device substrate containing a lattice parameter altering element |
| 摘要 |
A gallium nitride device substrate comprises a layer of gallium nitride containing an additional lattice parameter altering element located over a substitute substrate.
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| 申请公布号 |
US2007032041(A1) |
申请公布日期 |
2007.02.08 |
| 申请号 |
US20050194237 |
申请日期 |
2005.08.01 |
| 申请人 |
LESTER STEVEN D;ROBBINS VIRGINIA M;CORZINE SCOTT W |
发明人 |
LESTER STEVEN D.;ROBBINS VIRGINIA M.;CORZINE SCOTT W. |
| 分类号 |
H01L21/30;H01L21/00;H01L33/00 |
主分类号 |
H01L21/30 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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