Technik zur Herstellung eines Transistors mit einem erhöhten Drain- und Sourcegebiet mittels einer Drei-Schicht-Hartmaske für die Gatestrukturierung

摘要

Durch Vorsehen eines Hartmaskenschichtstapels mit mindestens drei unterschiedlichen Schichten zum Strukturieren einer Gateelektrodenstruktur können sowohl die durch moderne Lithographie gestellten Anforderungen sowie die Integrität einer Deckschicht in einem nachfolgenden selektiven epitaktischen Wachstumsprozess erfüllt werden, wodurch die Möglichkeit für eine weitere Bauteilskalierung von Transistorbauelementen geschaffen wird, die erhöhte Drain- und Sourcegebiete erfordern.