| 发明名称 | 高频低介电常数瓷料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种介电性能良好的高频低介电常数瓷料及其制备方法。本发明高频低介电常数瓷料，由以下组分按质量百分比组成：Mg<SUB>2</SUB>TiO<SUB>4</SUB>：58～68％；Mg<SUB>2</SUB>SiO<SUB>4</SUB>：10～20％；玻璃：10～25％；Co<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>：0.2～4.2％。本发明的方法能够有效地降低系统的烧结温度：烧结温度Ts为1200℃左右。本发明高频低介电常数瓷料的介电性能：具有较小的介电常数ε≤12±1；较小系统损耗tgδ＜1×10<SUP>-4</SUP>(1MHz)；较高绝缘电阻率ρ<SUB>v</SUB>＞10<SUP>13</SUP>Ω·cm；电容的温度系数α<SUB>c</SUB>＜(100±20)ppm/℃。 | ||
| 申请公布号 | CN1298669C | 申请公布日期 | 2007.02.07 |
| 申请号 | CN200410018851.5 | 申请日期 | 2004.04.09 |
| 申请人 | 天津大学 | 发明人 | 吴霞宛;李玲霞;林曼红 |
| 分类号 | C04B35/462(2006.01);C04B35/465(2006.01);C04B35/622(2006.01) | 主分类号 | C04B35/462(2006.01) |
| 代理机构 | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人 | 张宏祥 |
| 主权项 | 1.一种高频低介电常数瓷料，其特征是，由以下质量百分比的原料制成：Mg2TiO4：58-68％；Mg2SiO4：10-20％；ZnO-B2O3玻璃：10-25％；Co2O3：0.2-4.2％。 | ||
| 地址 | 300072天津市南开区卫津路92号 | ||