| 发明名称 | 缩小图案间隙且确保该间隙的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种缩小图案间隙且确保该间隙的方法，是一种半导体工艺，先定义一基底，再在基底上沉积一第一层。然后在第一层上提供一保护层，再在保护层上提供一罩幕层。接着，图案化并定义这层罩幕层，以形成具有至少一大体上垂直的侧壁与一大体上水平的顶部的至少一罩幕结构。随后，利用具有至少一反应气体的化学气相沉积工艺在罩幕结构与保护层上沉积一遮盖层，其中保护层是不与该用以形成遮盖层的反应气体反应的。最后，非等向性蚀刻保护层以及第一层。 | ||
| 申请公布号 | CN1299328C | 申请公布日期 | 2007.02.07 |
| 申请号 | CN02126486.4 | 申请日期 | 2002.07.23 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 梁明中;蔡信谊;钟嘉麒 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L21/027(2006.01);G03F7/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种缩小图案间隙且确保该间隙的方法，其特征在于：包括：定义一基底；在该基底上沉积一第一层；在该第一层上提供一保护层；在该保护层上提供一罩幕层；图案化并定义该罩幕层；利用具有至少一反应气体的一化学气相沉积工艺在图案化并定义的该罩幕层上沉积一第二层，其中该保护层是与该至少一反应气体不反应的。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||