栅极长度不取决于光刻法的纵向栅极CMOS

摘要

揭示了一种纵向晶体管的元件的构造，具体的说，为一CMOS晶体管的栅极(1905)、源极(1901)和漏极(1903)的配置。纵向晶体管常常用于集成电路的领域。因此，用于改进其构造的不受限于光刻法的限制的方法具有很大的效用和重要性。本领域的技术人员会明白所述方法也可以用于制造其它类型的器件。例如，利用本文所述的方法可制造一双极型晶体管的结(以及其其它类型的器件结)。

主权项

1.一种电子器件的制造方法，其包括以下步骤：将一掺杂物注入一半导体衬底的一掺杂区，所述掺杂区设置在一由一介质绝缘体隔离的区域中；在所述掺杂区和所述介质绝缘体区域上沈积一薄膜叠层，所述薄膜叠层包括一第一介质层和一第一多晶硅层；刻蚀一贯穿所述第一介质层的介质窗口；在所述介质窗口内和所述薄膜叠层上沉积一第二介质层；各向异性刻蚀所述第二介质层以形成一第一隔离衬垫；各向异性刻蚀位于所述掺杂区域和所述第一介质层之间的部分所述薄膜叠层，从而形成一外延通孔；用外延硅填充所述外延通孔，从而形成一外延沟道；在所述外延沟道上形成一第二多晶硅层；在所述第二多晶硅层以及周围区域上沉积一第三介质层；各向异性刻蚀所述第三介质层，以形成一第二隔离衬垫；刻蚀所述第一多晶硅层；在所述第二多晶硅层和所述第一多晶硅层上沉积一第四介质层；刻蚀所述第四介质层，以形成一第三隔离衬垫；以及刻蚀在所述第三隔离衬垫周围的所有剩余层，直至大体刻蚀到所述掺杂区的水平。