| 发明名称 | 制造单晶发射区的方法 | ||
| 摘要 | 结合使用选择和差别生长模式制造单晶发射区。步骤包括提供形成在具有相对的氧化硅侧壁(12)的硅衬底(16)上的沟槽(14)；在沟槽中的硅衬底上选择性生长高掺杂单晶层(18)；以及在沟槽的上面非选择生长硅层(20)，以便在氧化硅侧壁上形成非晶或多晶硅层。 | ||
| 申请公布号 | CN1910740A | 申请公布日期 | 2007.02.07 |
| 申请号 | CN200580002872.0 | 申请日期 | 2005.01.22 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | P·莫伊尼耶－贝拉尔;P·马涅 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01) | 主分类号 | H01L21/331(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王庆海;梁永 |
| 主权项 | 1.一种生长双极晶体管的单晶发射区的方法，包括：提供形成在具有相对的氧化硅侧壁(12)的硅衬底(16)上的沟槽(14)；在沟槽(14)中的硅衬底(16)上选择性生长高掺杂单晶层(18)；以及在沟槽的上面非选择生长第二硅层(20)，以便在氧化硅侧壁上形成非晶或多晶硅层。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||