| 发明名称 | 避免介电层沟填孔洞露出的方法及介电膜的工艺与结构 | ||
| 摘要 | 一种避免介电层沟填孔洞露出的方法，是仅在沟渠上方的部分介电层上形成一抗蚀刻层，其至少覆盖位于孔洞上方的介电层，以免该孔洞在后续蚀刻工艺中被露出。 | ||
| 申请公布号 | CN1909204A | 申请公布日期 | 2007.02.07 |
| 申请号 | CN200510089334.1 | 申请日期 | 2005.08.02 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 谢盛诚 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01);H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | H01L21/762(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种避免介电层沟填孔洞露出的方法，其中该孔洞为以该介电层填充一沟渠而形成的封闭孔洞，该方法包括：仅在该沟渠上方的该介电层的一部分上形成一抗蚀刻层，其至少覆盖位于该孔洞上方的该介电层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||