| 主权项 |
1.一种互补金属氧化物半导体，其特征是，包括：一第一型薄膜晶体管，包括：一第一栅极；一第一岛状多晶硅层，位于该第一栅极下，其中该第一岛状多晶硅层包括：一第一沟道区，位于该第一栅极正下方；一源极掺杂区，位于该第一栅极的一侧；以及一第一型掺杂区，位于该第一栅极的另一侧，其中该源极掺杂区、该第一沟道区与该第一掺杂区沿一第一方向排列配置；一第二型薄膜晶体管，包括：一第二栅极；一第二岛状多晶硅层，位于该第二栅极下，其中该第二岛状多晶硅层包括：一第二沟道区，位于该第二栅极正下方；一第二型掺杂区，位于该第二栅极的一侧；以及一漏极掺杂区，位于该第二栅极的另一侧，其中该第二型掺杂区、该第二沟道区与该漏极掺杂区沿该第一方向排列配置，且该第二型掺杂区与该第一型掺杂区沿一第二方向排列配置，该第二方向与该第一方向垂直；一层间介电层，覆盖于该第一型薄膜晶体管及该第二型薄膜晶体管上，该层间介电层具有多个接触窗洞，以暴露出该第一掺杂区以及该第二掺杂区；一导线，位于该层间介电层上，并通过上述这些接触窗洞连接该第一掺杂区以及该第二掺杂区，该导线的延伸方向为该第二方向；一源极接触金属，配置在该层间介电层上以及该层间介电层中，且该源极接触金属与该源极掺杂区电性连接；以及一漏极接触金属，配置在该层间介电层上以及该层间介电层中，且该漏极接触金属与该漏极掺杂区电性连接。 |
