| 发明名称 | 等离子蚀刻设备 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种等离子蚀刻设备，并提供一种等离子蚀刻设备，其包括：一衬底支撑件，其上安放一衬底；一电极，其安置成接近将要蚀刻的所述衬底的一表面；一介电膜，其形成在所述电极邻近于所述衬底的一表面上；和一电力供应构件，其用于在所述电极与所述衬底支撑件之间产生电位差。在所述设备中，在上面安放有所述衬底的所述衬底支撑件与围绕所述衬底的一边缘区域的所述电极之间施加电位差，且将所述衬底与所述电极之间的一距离设定为3毫米或更小，以便在所述衬底与所述电极之间的一区域中局部地产生等离子，藉此去除所述衬底的所述边缘区域中的微粒和一薄膜。此外，将一充当一气帘的气体注射到所述衬底的一上侧的一中心区域，以便防止将所述衬底与所述电极之间产生的等离子引入到所述衬底的所述上侧的所述中心区域中。另外，可在近似大气压力和常温下产生等离子。 | ||
| 申请公布号 | CN1909193A | 申请公布日期 | 2007.02.07 |
| 申请号 | CN200610099590.3 | 申请日期 | 2006.08.01 |
| 申请人 | 周星工程股份有限公司 | 发明人 | 全富一 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01);H01L21/311(2006.01);H01L21/3213(2006.01);H01L21/00(2006.01);C23F4/00(2006.01);H05H1/00(2006.01);H01J37/32(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王允方;刘国伟 |
| 主权项 | 1.一种等离子蚀刻设备，其包括：一腔室；一衬底支撑件，其安置在所述腔室中以便能将一衬底放置在其上；一电极，其提供成对应于所述衬底的一边缘区域并在所述电极与所述衬底的所述边缘区域之间留有一间隙，所述间隙小于所述腔室的一上壁与所述衬底之间的一间隙；和一电力供应构件，其用于将电力供应到所述衬底支撑件。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||