| 发明名称 | 晶体管制造 | ||
| 摘要 | 描述了一种制造源－栅控晶体管的方法，其中在衬底(2)上提供栅极(4)，随后提供栅绝缘体(6)和半导体层(8)。使用栅极(4)作为掩模，通过使用光致抗蚀剂(12)和穿过衬底(2)的背面照明，来构图该层以使源极和栅极(4)相对准。源极和漏极之间的间距也可使用间隔物技术来自对准。 | ||
| 申请公布号 | CN1910756A | 申请公布日期 | 2007.02.07 |
| 申请号 | CN200580002933.3 | 申请日期 | 2005.01.21 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | J·M·香农;C·格拉塞;S·D·布拉泽顿 |
| 分类号 | H01L29/45(2006.01);H01L29/417(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/786(2006.01) | 主分类号 | H01L29/45(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王庆海;梁永 |
| 主权项 | 1.一种制造源-栅控晶体管的方法，包括：(a)提供透明衬底(2)；(b)沉积栅层，并构图该栅层以形成栅极(4)；(c)沉积栅绝缘层(6)；(d)沉积薄膜半导体层(8)；(e)沉积与半导体层(8)限定了势垒的源层(18)，使用栅极(4)作掩模，使用穿过衬底的背面曝光步骤以限定源层(18)和半导体层(8)之间的势垒。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||