| 发明名称 | 制造半导体结构的方法及对应的半导体结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种制造具有晶片贯通接触的半导体结构的方法，以及对应的半导体结构。所述方法包括：提供具有体区(1a)和有源区(1b)的半导体晶片(1)；在半导体晶片中形成多个接触沟槽(5a－5f)，接触沟槽从有源区的上表面(0)延伸进入体区；在接触沟槽的侧壁和底上形成第一电介质隔离层(8)；在多个接触沟槽中提供第一导电填充(10)；在半导体晶片中形成对准的通孔(V)，通孔从体区的背侧(B)延伸进入多个接触沟槽，并暴露多个接触沟槽的导电填充；在通孔的侧壁上提供第二电介质隔离层(15)；以及在通孔中提供与多个接触沟槽的被暴露的导电填充相接触的第二导电填充(20)，从而形成晶片贯通接触。 | ||
| 申请公布号 | CN1909208A | 申请公布日期 | 2007.02.07 |
| 申请号 | CN200610108000.9 | 申请日期 | 2006.08.02 |
| 申请人 | 奇梦达股份公司 | 发明人 | 哈里·海德勒;罗兰·依尔西格勒 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L23/522(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1.一种制造具有晶片贯通接触的半导体结构的方法，包括步骤：提供具有体区(1a)和有源区(1b)的半导体晶片(1)；在所述半导体晶片(1)中形成多个接触沟槽(5a-5f)，所述接触沟槽(5a-5f)从所述有源区(1b)的上表面(0)延伸进入所述体区(1a)；在所述接触沟槽(5a-5f)的侧壁和底上形成第一电介质隔离层(8)；在所述多个接触沟槽(5a-5f)中提供第一导电填充(10)；在所述半导体晶片(1)中形成对准的通孔(V)，所述通孔(V)从所述体区(1a)的背侧(B)延伸进入所述多个接触沟槽(5a-5f)，并暴露所述多个接触沟槽(5a-5f)的导电填充(10)；在所述通孔(V)的侧壁上提供第二电介质隔离层(15)；以及在所述通孔(V)中提供与所述多个接触沟槽(5a-5f)的被暴露的导电填充(10)相接触的第二导电填充(20)，从而形成所述晶片贯通接触。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||