| 发明名称 | 氮化物半导体发光器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体发光器件，在所述半导体发光器件中，盖在放电下被压焊在底座的顶表面上，以形成封装。该封装包封热沉、氮化物半导体激光元件、电极插脚和导线，并在其内部密封有包含氧的气体作为密封气氛。至少盖的内表面镀有可以吸藏氢的金属Ni和Pd。 | ||
| 申请公布号 | CN1909311A | 申请公布日期 | 2007.02.07 |
| 申请号 | CN200610108428.3 | 申请日期 | 2006.08.02 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 花冈大介;石田真也;高谷邦启;伊藤茂稔 |
| 分类号 | H01S5/022(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01L23/00(2006.01) | 主分类号 | H01S5/022(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1、一种氮化物半导体发光器件，包括：封装，包括底座和固定在底座上的盖；氮化物半导体发光元件，设置在所述封装内部；和密封气体，密封在所述封装内部；其中可以吸藏氢的材料设置在所述封装内部，且所述密封气体包含氧。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||