用于转换具低电流的磁阻式随机存取存储器的磁矩的方法

摘要

一种用于写入磁阻式随机存取存储器(MRAM)装置的存储器单元的方法连续包括：在第一方向提供第一磁场；在大体上与所述第一方向正交的第二方向提供第二磁场；关闭所述第一磁场；在与所述第一方向相反的第三方向提供第三磁场；关闭所述第二磁场；和关闭所述第三磁场。一种用于转换MRAM存储器单元中的磁矩的方法包括：在与偏压磁场的方向形成钝角的方向提供磁场。一种用于读取MRAM装置的方法包括：部分地转换参照存储器单元中的磁矩以产生参照电流；测量通过待读取的存储器单元的读取电流；和比较所述读取电流与所述参照电流。

主权项

1.一种用于写入磁阻式随机存取存储器装置的存储器单元的方法，其特征是包含：在第一方向提供第一磁场；在第二方向提供第二磁场，所述第二方向大体上与所述第一方向正交；关闭所述第一磁场；在第三方向提供第三磁场，所述第三方向与所述第一方向相反；关闭所述第二磁场；和关闭所述第三磁场。