| 发明名称 | 材料层与电容器和半导体存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了能够增加贵金属层在铁电层上的沉积速率的制造材料层的方法、使用该材料层的铁电电容器的制造方法、通过该方法制造的铁电电容器、以及具有该铁电电容器的半导体存储器及其制造方法。根据制造材料层的方法，形成了铁电电容器。之后，将铁电层暴露于籽等离子体，包括籽等离子体的源材料的材料层形成在铁电层暴露于籽等离子体的区域上。 | ||
| 申请公布号 | CN1909194A | 申请公布日期 | 2007.02.07 |
| 申请号 | CN200610105892.7 | 申请日期 | 2006.07.13 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 具俊谟;徐范锡;朴永洙;李正贤;申尚旻;金锡必 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L27/02(2006.01) | 主分类号 | H01L21/31(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种制造材料层的方法，所述方法包括：形成铁电层；将所述铁电层暴露于籽等离子体；以及在暴露于所述籽等离子体的铁电层的区域上，形成包括所述籽等离子体的源材料的材料层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||