电流垂直于平面结构的磁电阻元件

摘要

一种电流垂直于平面结构的磁电阻元件，磁电阻薄膜(43)从一个磁头滑块的介质相对表面(28)向后延伸。一个上电极层(46)叠置在磁电阻薄膜的上边界(43b)上。该上电极层(46)包括一个沿着上边界、从在介质相对表面处露出的顶端向后延伸的低阻区(46a)，以及一个沿着上边界、从低阻区的后端向后延伸的高阻区(46b)。该高阻区的电阻率高于低阻区的电阻率。该高阻区用于限制最靠近介质相对表面的读出电流的通路。允许该读出电流集中在最靠近磁电阻薄膜中的介质相对表面的位置。由于靠近介质相对表面的磁化强度趋于充分转动，该电流垂直于平面(CPP)结构的磁电阻元件保持电阻的充分变化。在该CPP结构的磁电阻元件中可保持足够的灵敏度。

主权项

1.一种电流垂直于平面结构的磁电阻元件，包括：在一个磁头滑块的介质相对表面处限定前端的一个磁电阻薄膜，所述磁电阻薄膜沿着预定基准面从前端向后延伸，该预定基准面与该磁头滑块的介质相对表面相交；以及沿着磁电阻薄膜的一个边界、从在磁头滑块的介质相对表面处露出的前端向后延伸的一个电极层，其中所述电极层包括：沿着边界、从在磁头滑块的介质相对表面处露出的前端向后延伸的一个低阻区；和沿着边界、从低阻区的后端向后延伸的高阻区，所述高阻区的电阻率高于低阻区的电阻率。