ZnO:Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>或ZnO:Cr<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>导电衬底的制备方法

摘要

一种ZnO:Al₂O₃或ZnO:Cr₂O₃导电衬底的制备方法，其特点是通过水热法合成使高温高压下的ZnO和Al₂O₃或Cr₂O₃混合物的水溶液达到一定的过饱和度，在ZnO衬底晶片籽晶上生长ZnO:Al₂O₃或ZnO:Cr₂O₃导电衬底晶片。本发明所生长的掺质ZnO导电衬底材料与GaN晶格失配小，其导电性能使衬底晶片的背面容易进行电极接触，从而大大简化了器件的制作。而且重复性好，成本低，适用于批量生产。

主权项

1、一种ZnO:Al2O3或ZnO:Cr2O3导电衬底的制备方法，其特征是通过水热法进行制备，包括下列步骤：<1>首先把一定数量和粒径的ZnO粉体烧结块、Al2O3、或Cr2O3粉体烧结块放入黄金衬套(5)底部的溶解区(2)内；<2>按70％-85％的填充度加入碱金属的矿化剂(7)和水混合溶液；<3>使用黄金丝做成的梯形籽晶架(6)，按一定方向切好的籽晶片用黄金丝连接起来并固定在籽晶架(6)上；<4>将籽晶架(6)放入黄金衬套内并密封好，再一起放入高压釜中，再把高压釜彻底密封并入电阻炉(10)中；<5>电阻炉(10)升温，调整温度和压力，使溶解区温度为400℃，生长区温度为380-390℃；工作压力1100atm，升温速度10℃/小时内，高压釜内外温度达到平衡时恒温生长，生长周期根据所放置培养料(8)的量和掺质ZnO晶体，即ZnO:Al2O3 或ZnO:Cr2O3的生长速率而定；<6>停炉，打开保温罩，将高压釜提出炉膛，取出籽晶架(6)取出晶体，用温水将表面的溶液洗净。