具有全金属化过孔的封装接口基板晶片的制造技术

摘要

本发明是提供作为放在尺寸接近亚100微米范围的不同类型电路之间的接口基板的封装中间产品的技术。本发明包括由电过孔设计长度数量级的距离分开的晶片的第一和第二区域表面的介质晶片结构，以及放置每个过孔用金属填充的穿过晶片的间隔开的过孔阵列。

主权项

1.一种提供带有穿过基板的电通路的接口支撑基板的方法，用在电气设备中不同电路的实体之间，包括以下步骤的组合：提供由介电材料制成的晶片结构，具有第一和第二区域表面，所述第一和第二区域表面相隔一由所述晶片的材料确定的距离；形成穿过所述第一区域表面进入所述晶片的所述材料中的过孔开口阵列，所述过孔开口的盲端的深度小于所述距离，在至少所述盲孔开口的侧壁上提供化学金属淀积增强附着涂层，用化学淀积金属填充所述盲孔开口，从所述第一区域表面上去掉所有材料，从而平面化所述过孔开口，以及通过所述第二区域表面去掉所述晶片的所述材料，直到暴露出所述填充过孔，并且平坦化所述第二区域表面。