半导体器件及其制造方法

摘要

一种制造半导体器件，例如薄膜晶体管的方法。在非晶硅膜之上或之下，选择形成岛状、线状、条状、点状或膜状的镍、铁、钴、钌、铑、钯、锇、铱、铂、钪、钛、钒、铬、锰、铜、锌、金、银及其硅化物，得到结晶硅膜，再以它们作起始点，在低于普通非晶硅的结晶温度下退火使其结晶化。通过在将变成晶体管有源区的半导体层之上选择形成覆盖膜，然后再使其热结晶化，构成具有薄膜晶体管的动态电路的同时，得到漏电小和迁移率高的晶体管。

主权项

1.在绝缘表面上形成的半导体器件，所述器件包括：一个半导体岛，包括结晶硅，该结晶硅还包括5原子％或更少的氢；在所述半导体岛中形成的源，漏和沟道区；和所述半导体岛相邻的一个栅电极，有一个栅绝缘膜置于其间；其中所述半导体岛包括一种材料，选自包括Ni，Fe，Co，Ru，Rh，Pd，Os，Ir，Pt，Sc，Ti，V，Cr，Mn，Cu，Zn，Au和Ag的组，其中包括的所述材料的浓度高于0.005原子％且低于1原子％。